Izvestiya of Saratov University.
ISSN 1817-3020 (Print)
ISSN 2542-193X (Online)


Твердотельная электроника, микро- и наноэлектроника

Эффект памяти в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN

В данной работе исследуется изменение электрических характеристик светодиодных структур на основе InGaN/GaN, вызванное протеканием тока большой величины в импульсном режиме. Обнаружено устойчивое переключение между высокопроводящим (резистивным) и низкопроводящим (светоизлучающим) состояниями, сопровождающееся сменой механизмов токопереноса. В качестве основного механизма переключения рассматривается перемещение подвижных дефектов и образование проводящих нитей (каналов) в области пространственного заряда.

Предельные плотности тока полевой эмиссии в квантовых структурах (обзор)

Рассматриваются вопросы достижимости предельно возможных плотностей тока полевой эмиссии порядка 1015 А/м2, анализируются способы их достижения, модели полевой эмиссии, а также возможные эмиссионные структуры, обеспечивающие большие интегральные токи в ленточных электронных пучках. Показана достижимость значений плотностей тока в вакуумных квантовых структурах с двумя и более потенциальными ямами при резонансном туннелировании. Указанные вакуумные структуры реализуются с использованием двух и более сеточных электродов при большом положительном потенциале на них.

EFFECT OF ALLOYING ADMIXTURE ON THE PROPERTIES OF COPPER SULFIDE THIN FILMS

Background and Objectives. In connection with the need to improve the properties of materials and thin films based on them, when creating device structures, it is necessary to study the effect of dopants on the properties of thin films of copper sulfide.
The aim of the research was to study the concentration profiles of the ion-implanted impurity and the effect of the dopant on the properties of copper sulfide films.

ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ И МАГНИТНОГО ПОЛЯ НА ОСЦИЛЛЯЦИИ ПЛОТНОСТИ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ СОСТОЯНИЙ В НАНОРАЗМЕРНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ

В данной статье исследовались влияние температуры и квантующего магнитного поля на осцилляции плотности энергетических состояний в зоне проводимости наноразмерных полупроводниковых структур. Разработана новая математическая модель для вычисления температурной зависимости осцилляции плотности состояний в прямоугольной квантовой яме, при воздействии поперечного квантующего магнитного поля. С помощью предложенной модели, объяснились экспериментальные результаты, при различных температурах и магнитных полях.

Influence of backlighting on current-voltage characteristics of InGaN / GaN-based structures with back-shift

Object of study. We investigate Hewlett Packard green LEDs (λmax = 525 nm at room temperature) based on an InGaN solid solution with quantum wells. Purpose of the Study. It is known that in light-emitting structures, optical characteristics are closely related to electrical characteristics. Analysis of the literature has shown the effect of the structure (number and width of quantum wells) on the electrical characteristics of the objects under study.

Modeling power amplifiers in the Microwave Office environment

 Background and Objectives: A very difficult and urgent task is to obtain high output powers of transistor amplifiers. This class of devices in many radio engineering systems determines the most important technical parameters of the system, such as radiated and consumed power, bandwidth, dimensions and weight, reliability and cost. Known monolithic amplifier designs make it possible to obtain tens and hundreds of watts of output power.

Integrated research of the phase-shifting properties of a step structure of class II on connected transmission lines with mismatched loads

Background and Objectives: Fixed phase shifters on the transmission line are passive devices that provide a constant phase shift between the signals to the outputs of the reference and phase-shifting channels. They are the basic elements of electronic equipment for various functional purposes. One of the main tasks of frequency technology is to expand the working range of fixed phase shifters.

ВЛИЯНИЕ ПОДСВЕТКИ НА ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ InGaN/GaN ПРИ ОБРАТНОМ СМЕЩЕНИИ

Аннотация. В работе рассмотрена обратная ветвь вольт-амперной характеристики структуры с квантовыми ямами при подсветке с точки зрения обобщенной модели рекомбинации. Показано, что в процессе формирования вольт-амперных характеристик при обратном смещении и наличии внешней подсветки участвуют три процесса: оптическая генерация, рекомбинация и туннелирование. При подсветке структуры таким же светодиодом в квантовых ямах ведущую роль играет процесс оптической генерации. В результате получено выражение, описывающее ток через образец в этом случае.

Vacuum-plasma processes at extreme field emission in diamond electron sources

Background and Objectives: The use of high-current field electron sources that satisfy various circuitry requirements as a part of electronic devices for various purposes suggests the possibility of matching their operation modes with the operating characteristics of the devices, as well as high reproducibility of emission parameters, stability and the necessary resource of reliability and durability.

Pages