Твердотельная электроника, микро- и наноэлектроника

В данной статье исследовались влияние температуры и квантующего магнитного поля на осцилляции плотности энергетических состояний в зоне проводимости наноразмерных полупроводниковых структур. Разработана новая математическая модель для вычисления температурной зависимости осцилляции плотности состояний в прямоугольной квантовой яме, при воздействии поперечного квантующего магнитного поля. С помощью предложенной модели, объяснились экспериментальные результаты, при различных температурах и магнитных полях.

Аннотация. В работе рассмотрена обратная ветвь вольт-амперной характеристики структуры с квантовыми ямами при подсветке с точки зрения обобщенной модели рекомбинации. Показано, что в процессе формирования вольт-амперных характеристик при обратном смещении и наличии внешней подсветки участвуют три процесса: оптическая генерация, рекомбинация и туннелирование. При подсветке структуры таким же светодиодом в квантовых ямах ведущую роль играет процесс оптической генерации. В результате получено выражение, описывающее ток через образец в этом случае.

Background and Objectives: Magnetic thin film waveguides of a finite width are considered as the main building blocks for magnonic circuits where the magnetostatic waves are the information carriers.

The influence of defects on conduction processes in inorganic compounds based on metal chalcogenides and in copper and silver chalcogenides is considered. With decreasing temperature, the concentration of intrinsic carriers decreases and the conductivity is determined by the concentration and properties of impurities; in the process of transfer, carrier jumps begin to play directly over the impurities, and there is a low mobility.

Исследованы возможности создания сильноточных полевых источников электронов на основе тонкопленочных планарно-торцевых наноалмазографитовых структур, удовлетворяющих различным схемотехническим требованиям, а также причины возникновения неуправляемых режимов эксплуатации и фундаментальные факторы, приводящие к изменению вольт-амперных характеристик и ограничивающих максимальную величину автоэмиссионных токов, стабильность и долговечность сильноточной полевой эмиссии.