Izvestiya of Saratov University.
ISSN 1817-3020 (Print)
ISSN 2542-193X (Online)


Твердотельная электроника, микро- и наноэлектроника

ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ И МАГНИТНОГО ПОЛЯ НА ОСЦИЛЛЯЦИИ ПЛОТНОСТИ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ СОСТОЯНИЙ В НАНОРАЗМЕРНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ

В данной статье исследовались влияние температуры и квантующего магнитного поля на осцилляции плотности энергетических состояний в зоне проводимости наноразмерных полупроводниковых структур. Разработана новая математическая модель для вычисления температурной зависимости осцилляции плотности состояний в прямоугольной квантовой яме, при воздействии поперечного квантующего магнитного поля. С помощью предложенной модели, объяснились экспериментальные результаты, при различных температурах и магнитных полях.

Influence of backlighting on current-voltage characteristics of InGaN / GaN-based structures with back-shift

Object of study. We investigate Hewlett Packard green LEDs (λmax = 525 nm at room temperature) based on an InGaN solid solution with quantum wells. Purpose of the Study. It is known that in light-emitting structures, optical characteristics are closely related to electrical characteristics. Analysis of the literature has shown the effect of the structure (number and width of quantum wells) on the electrical characteristics of the objects under study.

Modeling power amplifiers in the Microwave Office environment

 Background and Objectives: A very difficult and urgent task is to obtain high output powers of transistor amplifiers. This class of devices in many radio engineering systems determines the most important technical parameters of the system, such as radiated and consumed power, bandwidth, dimensions and weight, reliability and cost. Known monolithic amplifier designs make it possible to obtain tens and hundreds of watts of output power.

Integrated research of the phase-shifting properties of a step structure of class II on connected transmission lines with mismatched loads

Background and Objectives: Fixed phase shifters on the transmission line are passive devices that provide a constant phase shift between the signals to the outputs of the reference and phase-shifting channels. They are the basic elements of electronic equipment for various functional purposes. One of the main tasks of frequency technology is to expand the working range of fixed phase shifters.

ВЛИЯНИЕ ПОДСВЕТКИ НА ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ InGaN/GaN ПРИ ОБРАТНОМ СМЕЩЕНИИ

Аннотация. В работе рассмотрена обратная ветвь вольт-амперной характеристики структуры с квантовыми ямами при подсветке с точки зрения обобщенной модели рекомбинации. Показано, что в процессе формирования вольт-амперных характеристик при обратном смещении и наличии внешней подсветки участвуют три процесса: оптическая генерация, рекомбинация и туннелирование. При подсветке структуры таким же светодиодом в квантовых ямах ведущую роль играет процесс оптической генерации. В результате получено выражение, описывающее ток через образец в этом случае.

Vacuum-plasma processes at extreme field emission in diamond electron sources

Background and Objectives: The use of high-current field electron sources that satisfy various circuitry requirements as a part of electronic devices for various purposes suggests the possibility of matching their operation modes with the operating characteristics of the devices, as well as high reproducibility of emission parameters, stability and the necessary resource of reliability and durability.

INFLUENCE OF DEFECTS ON THE THERMOPHYSICAL PROPERTIES OF COPPER CHALCOGENIDES

The influence of defects on conduction processes in inorganic compounds based on metal chalcogenides and in copper and silver chalcogenides is considered. With decreasing temperature, the concentration of intrinsic carriers decreases and the conductivity is determined by the concentration and properties of impurities; in the process of transfer, carrier jumps begin to play directly over the impurities, and there is a low mobility.

ВАКУУМНО-ПЛАЗМЕННЫЕ ПРОЦЕССЫ ПРИ ЭКСТРЕМАЛЬНОЙ ПОЛЕВОЙ ЭМИССИИ В АЛМАЗОГРАФИТОВЫХ ИСТОЧНИКАХ ЭЛЕКТРОНОВ

Исследованы возможности создания сильноточных полевых источников электронов на основе тонкопленочных планарно-торцевых наноалмазографитовых структур, удовлетворяющих различным схемотехническим требованиям, а также причины возникновения неуправляемых режимов эксплуатации и фундаментальные факторы, приводящие к изменению вольт-амперных характеристик и ограничивающих максимальную величину автоэмиссионных токов, стабильность и долговечность сильноточной полевой эмиссии.

Pages