Твердотельная электроника, микро- и наноэлектроника

В данной работе исследуется изменение электрических характеристик светодиодных структур на основе InGaN/GaN, вызванное протеканием тока большой величины в импульсном режиме. Обнаружено устойчивое переключение между высокопроводящим (резистивным) и низкопроводящим (светоизлучающим) состояниями, сопровождающееся сменой механизмов токопереноса. В качестве основного механизма переключения рассматривается перемещение подвижных дефектов и образование проводящих нитей (каналов) в области пространственного заряда.

Рассматриваются вопросы достижимости предельно возможных плотностей тока полевой эмиссии порядка 1015 А/м2, анализируются способы их достижения, модели полевой эмиссии, а также возможные эмиссионные структуры, обеспечивающие большие интегральные токи в ленточных электронных пучках. Показана достижимость значений плотностей тока в вакуумных квантовых структурах с двумя и более потенциальными ямами при резонансном туннелировании. Указанные вакуумные структуры реализуются с использованием двух и более сеточных электродов при большом положительном потенциале на них.

Background and Objectives. In connection with the need to improve the properties of materials and thin films based on them, when creating device structures, it is necessary to study the effect of dopants on the properties of thin films of copper sulfide.
The aim of the research was to study the concentration profiles of the ion-implanted impurity and the effect of the dopant on the properties of copper sulfide films.

В данной статье исследовались влияние температуры и квантующего магнитного поля на осцилляции плотности энергетических состояний в зоне проводимости наноразмерных полупроводниковых структур. Разработана новая математическая модель для вычисления температурной зависимости осцилляции плотности состояний в прямоугольной квантовой яме, при воздействии поперечного квантующего магнитного поля. С помощью предложенной модели, объяснились экспериментальные результаты, при различных температурах и магнитных полях.

Аннотация. В работе рассмотрена обратная ветвь вольт-амперной характеристики структуры с квантовыми ямами при подсветке с точки зрения обобщенной модели рекомбинации. Показано, что в процессе формирования вольт-амперных характеристик при обратном смещении и наличии внешней подсветки участвуют три процесса: оптическая генерация, рекомбинация и туннелирование. При подсветке структуры таким же светодиодом в квантовых ямах ведущую роль играет процесс оптической генерации. В результате получено выражение, описывающее ток через образец в этом случае.