Известия Саратовского университета.
ISSN 1817-3020 (Print)
ISSN 2542-193X (Online)


Твердотельная электроника, микро- и наноэлектроника

Моделирование усилителей мощности в среде Microwave Office

Представлены основные этапы разработки транзисторного усилителя УВЧ и КВЧ диапазонов в октавном диапазоне рабочих частот на основе отечественного биполярного транзистора 2Т937А в микрополосковом исполнении в среде САПР Microwave Office. Широкополосное согласование стало возможным за счет использования дискретных транзисторных кристаллов, допускающих включение отрезков микрополосковых линий передачи и сосредоточенных элементов (резисторов, индуктивностей и емкостей) на входах и выходах внутренних усилительных каскадов.

Комплексные исследования фазосмещающих свойств ступенчатой структуры класса II на связанных линиях передачи с несогласованными нагрузками

В работе представлены результаты комплексных исследований фазосмещающих свойств структуры электрической цепи на основе связанных m-ступенчатых линий передачи класса II с несогласованными нагрузками, образованными короткозамкнутым шлейфом (m = 3,5), с применением методов математического моделирования и проведением проверки адекватности математических моделей на основе данных натурного эксперимента.

Влияние геометрии тонкопленочных микроволноводов на основе железоиттриевого граната и расположения микроантенн на характеристики возбуждения и прохождения в них магнитостатических волн

В работе экспериментально исследуются эффекты возбуждения и распространения магнитостатических волн в касательно намагниченных микроволноводах шириной 5–15 мкм, изготовленных из пленки железоиттриевого граната толщиной 0.9 мкм с помощью фотолитографии и ионного травления, и имеющие интегрированные с волноводом микроантенны для возбуждения и приема магнитостатических волн. Обсуждаются вопросы влияния на характеристики магнитостатических волн ширины волновода, местоположения микроантенн, а также связи между паралельно расположенными микроволноводами.

ВЛИЯНИЕ ПОДСВЕТКИ НА ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ InGaN/GaN ПРИ ОБРАТНОМ СМЕЩЕНИИ

Аннотация. В работе рассмотрена обратная ветвь вольт-амперной характеристики структуры с квантовыми ямами при подсветке с точки зрения обобщенной модели рекомбинации. Показано, что в процессе формирования вольт-амперных характеристик при обратном смещении и наличии внешней подсветки участвуют три процесса: оптическая генерация, рекомбинация и туннелирование. При подсветке структуры таким же светодиодом в квантовых ямах ведущую роль играет процесс оптической генерации. В результате получено выражение, описывающее ток через образец в этом случае.

Вакуумно-плазменные процессы при экстремальной полевой эмиссии в алмазографитовых источниках электронов

Для создания элементной базы вакуумной микроэлектроники и сильноточных автоэмиссионных катодов, применяемых для устройств генерации сигналов СВЧ и субтерагерцового диапазонов, одним из перспективных материалов являются наноуглеродные пленочные структуры. Известно, что функционирование сильноточных автоэмиссионных катодов сопровождается рядом сопутствующих явлений, которые влияют на стабильность и долговечность их работы, в частности приводят к возникновению неуправляемых режимов эксплуатации.

ВЛИЯНИЕ ГЕОМЕТРИИ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ МИКРОВОЛНОВОДОВ НА ОСНОВЕ ЖЕЛЕЗОИТТРИЕВОГО ГРАНАТА И РАСПОЛОЖЕНИЯ МИКРОАНТЕНН НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ВОЗБУЖДЕНИЯ И ПРОХОЖДЕНИЯ В НИХ МАГНИТОСТАТИЧЕСКИХ ВОЛН

В работе экспериментально исследуются эффекты возбуждения и распространения магнитостатических волн (МСВ) в касательно намагниченных микроволноводах шириной 5-15 µm, изготовленных из пленки железоиттриевого граната (ЖИГ) толщиной 0.9 µm с помощью фотолитографии и ионного травления, и имеющие интегрированные с волноводом микроантенны для возбуждения и приема МСВ. Обсуждаются вопросы по влиянию на характеристики МСВ ширины волновода, местоположения микроантенн, а также связи между паралельно расположенными микроволноводами.

INFLUENCE OF DEFECTS ON THE THERMOPHYSICAL PROPERTIES OF COPPER CHALCOGENIDES

The influence of defects on conduction processes in inorganic compounds based on metal chalcogenides and in copper and silver chalcogenides is considered. With decreasing temperature, the concentration of intrinsic carriers decreases and the conductivity is determined by the concentration and properties of impurities; in the process of transfer, carrier jumps begin to play directly over the impurities, and there is a low mobility.

ВАКУУМНО-ПЛАЗМЕННЫЕ ПРОЦЕССЫ ПРИ ЭКСТРЕМАЛЬНОЙ ПОЛЕВОЙ ЭМИССИИ В АЛМАЗОГРАФИТОВЫХ ИСТОЧНИКАХ ЭЛЕКТРОНОВ

Исследованы возможности создания сильноточных полевых источников электронов на основе тонкопленочных планарно-торцевых наноалмазографитовых структур, удовлетворяющих различным схемотехническим требованиям, а также причины возникновения неуправляемых режимов эксплуатации и фундаментальные факторы, приводящие к изменению вольт-амперных характеристик и ограничивающих максимальную величину автоэмиссионных токов, стабильность и долговечность сильноточной полевой эмиссии.

Наноуглеродные композиты для безнакальных магнетронов СВЧ и субтерагерцового диапазонов

Разработана численная методика определения вторично-эмиссионных свойств пленочных алмазографитовых нанокомпозитов по яркости изображений в зависимости от величины положительного потенциала на сетке детектора сканирующего электронного микроскопа. С использованием разработанной методики проведена оценка вторичноэмиссионных свойств наноуглеродных пленочных структур, полученных в различных режимах микроволнового плазмохимического осаждения.

НАНОУГЛЕРОДНЫЕ КОМПОЗИТЫ ДЛЯ БЕЗНАКАЛЬНЫХ МАГНЕТРОНОВ СВЧ И СУБТЕРАГЕРЦОВОГО ДИАПАЗОНОВ

Разработана численная методика определения вторично-эмиссионных свойств пленочных алмазографитовых нанокомпозитов по яркости изображений в зависимости от величины положительного потенциала на сетке детектора сканирующего электронного микроскопа. С использованием разработанной методики проведена оценка вторично-эмиссионных свойств наноуглеродных пленочных структур, полученных в различных режимах микроволнового плазмохимического осаждения.

Страницы