Известия Саратовского университета.
ISSN 1817-3020 (Print)
ISSN 2542-193X (Online)


Твердотельная электроника, микро- и наноэлектроника

Эффект памяти в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN

В данной работе исследуется изменение электрических характеристик светодиодных структур на основе InGaN/GaN, вызванное протеканием тока большой величины в импульсном режиме. Обнаружено устойчивое переключение между высокопроводящим (резистивным) и низкопроводящим (светоизлучающим) состояниями, сопровождающееся сменой механизмов токопереноса. В качестве основного механизма переключения рассматривается перемещение подвижных дефектов и образование проводящих нитей (каналов) в области пространственного заряда.

Предельные плотности тока полевой эмиссии в квантовых структурах (обзор)

Рассматриваются вопросы достижимости предельно возможных плотностей тока полевой эмиссии порядка 1015 А/м2, анализируются способы их достижения, модели полевой эмиссии, а также возможные эмиссионные структуры, обеспечивающие большие интегральные токи в ленточных электронных пучках. Показана достижимость значений плотностей тока в вакуумных квантовых структурах с двумя и более потенциальными ямами при резонансном туннелировании. Указанные вакуумные структуры реализуются с использованием двух и более сеточных электродов при большом положительном потенциале на них.

EFFECT OF ALLOYING ADMIXTURE ON THE PROPERTIES OF COPPER SULFIDE THIN FILMS

Background and Objectives. In connection with the need to improve the properties of materials and thin films based on them, when creating device structures, it is necessary to study the effect of dopants on the properties of thin films of copper sulfide.
The aim of the research was to study the concentration profiles of the ion-implanted impurity and the effect of the dopant on the properties of copper sulfide films.

ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ И МАГНИТНОГО ПОЛЯ НА ОСЦИЛЛЯЦИИ ПЛОТНОСТИ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ СОСТОЯНИЙ В НАНОРАЗМЕРНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ

В данной статье исследовались влияние температуры и квантующего магнитного поля на осцилляции плотности энергетических состояний в зоне проводимости наноразмерных полупроводниковых структур. Разработана новая математическая модель для вычисления температурной зависимости осцилляции плотности состояний в прямоугольной квантовой яме, при воздействии поперечного квантующего магнитного поля. С помощью предложенной модели, объяснились экспериментальные результаты, при различных температурах и магнитных полях.

Влияние подсветки на вольт-амперные характеристики структур на основе InGaN/GaN при обратном смещении

Рассмотрена обратная ветвь вольт-амперной характеристики структуры с квантовыми ямами при подсветке с точки зрения обобщенной модели рекомбинации. Показано, что в процессе формирования вольт-амперных характеристик при обратном смещении и наличии внешней подсветки участвуют три процесса: оптическая генерация, рекомбинация и туннелирование. При подсветке структуры таким же светодиодом в квантовых ямах ведущую роль играет процесс оптической генерации. В результате получено выражение, описывающее ток через образец в этом случае. 

Моделирование усилителей мощности в среде Microwave Office

Представлены основные этапы разработки транзисторного усилителя УВЧ и КВЧ диапазонов в октавном диапазоне рабочих частот на основе отечественного биполярного транзистора 2Т937А в микрополосковом исполнении в среде САПР Microwave Office. Широкополосное согласование стало возможным за счет использования дискретных транзисторных кристаллов, допускающих включение отрезков микрополосковых линий передачи и сосредоточенных элементов (резисторов, индуктивностей и емкостей) на входах и выходах внутренних усилительных каскадов.

Комплексные исследования фазосмещающих свойств ступенчатой структуры класса II на связанных линиях передачи с несогласованными нагрузками

В работе представлены результаты комплексных исследований фазосмещающих свойств структуры электрической цепи на основе связанных m-ступенчатых линий передачи класса II с несогласованными нагрузками, образованными короткозамкнутым шлейфом (m = 3,5), с применением методов математического моделирования и проведением проверки адекватности математических моделей на основе данных натурного эксперимента.

Влияние геометрии тонкопленочных микроволноводов на основе железоиттриевого граната и расположения микроантенн на характеристики возбуждения и прохождения в них магнитостатических волн

В работе экспериментально исследуются эффекты возбуждения и распространения магнитостатических волн в касательно намагниченных микроволноводах шириной 5–15 мкм, изготовленных из пленки железоиттриевого граната толщиной 0.9 мкм с помощью фотолитографии и ионного травления, и имеющие интегрированные с волноводом микроантенны для возбуждения и приема магнитостатических волн. Обсуждаются вопросы влияния на характеристики магнитостатических волн ширины волновода, местоположения микроантенн, а также связи между паралельно расположенными микроволноводами.

ВЛИЯНИЕ ПОДСВЕТКИ НА ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ InGaN/GaN ПРИ ОБРАТНОМ СМЕЩЕНИИ

Аннотация. В работе рассмотрена обратная ветвь вольт-амперной характеристики структуры с квантовыми ямами при подсветке с точки зрения обобщенной модели рекомбинации. Показано, что в процессе формирования вольт-амперных характеристик при обратном смещении и наличии внешней подсветки участвуют три процесса: оптическая генерация, рекомбинация и туннелирование. При подсветке структуры таким же светодиодом в квантовых ямах ведущую роль играет процесс оптической генерации. В результате получено выражение, описывающее ток через образец в этом случае.

Вакуумно-плазменные процессы при экстремальной полевой эмиссии в алмазографитовых источниках электронов

Для создания элементной базы вакуумной микроэлектроники и сильноточных автоэмиссионных катодов, применяемых для устройств генерации сигналов СВЧ и субтерагерцового диапазонов, одним из перспективных материалов являются наноуглеродные пленочные структуры. Известно, что функционирование сильноточных автоэмиссионных катодов сопровождается рядом сопутствующих явлений, которые влияют на стабильность и долговечность их работы, в частности приводят к возникновению неуправляемых режимов эксплуатации.

Страницы