Известия Саратовского университета.
ISSN 1817-3020 (Print)
ISSN 2542-193X (Online)


Твердотельная электроника, микро- и наноэлектроника

ВАКУУМНО-ПЛАЗМЕННЫЕ ПРОЦЕССЫ ПРИ ЭКСТРЕМАЛЬНОЙ ПОЛЕВОЙ ЭМИССИИ В АЛМАЗОГРАФИТОВЫХ ИСТОЧНИКАХ ЭЛЕКТРОНОВ

Исследованы возможности создания сильноточных полевых источников электронов на основе тонкопленочных планарно-торцевых наноалмазографитовых структур, удовлетворяющих различным схемотехническим требованиям, а также причины возникновения неуправляемых режимов эксплуатации и фундаментальные факторы, приводящие к изменению вольт-амперных характеристик и ограничивающих максимальную величину автоэмиссионных токов, стабильность и долговечность сильноточной полевой эмиссии.

Наноуглеродные композиты для безнакальных магнетронов СВЧ и субтерагерцового диапазонов

Разработана численная методика определения вторично-эмиссионных свойств пленочных алмазографитовых нанокомпозитов по яркости изображений в зависимости от величины положительного потенциала на сетке детектора сканирующего электронного микроскопа. С использованием разработанной методики проведена оценка вторичноэмиссионных свойств наноуглеродных пленочных структур, полученных в различных режимах микроволнового плазмохимического осаждения.

Влияние малых доз гамма-излучения на оптические свойства наноструктурированного кремния, полученного методом металл стимулированного химического травления in situ

Приводятся результаты экспериментального исследования оптических свойств структур пористого Si, полученных методом металл стимулированного химического травления при облучении малыми дозами γ-квантов непосредственно в процессе формирования in situ. Контроль in situ образцов указывает на влияние не только дозы облучения образующегося слоя на величину полного отражения, но и дозы предварительного облучения подложки.

НАНОУГЛЕРОДНЫЕ КОМПОЗИТЫ ДЛЯ БЕЗНАКАЛЬНЫХ МАГНЕТРОНОВ СВЧ И СУБТЕРАГЕРЦОВОГО ДИАПАЗОНОВ

Разработана численная методика определения вторично-эмиссионных свойств пленочных алмазографитовых нанокомпозитов по яркости изображений в зависимости от величины положительного потенциала на сетке детектора сканирующего электронного микроскопа. С использованием разработанной методики проведена оценка вторично-эмиссионных свойств наноуглеродных пленочных структур, полученных в различных режимах микроволнового плазмохимического осаждения.

Терагерцевый транзистор на основе графена

Из-за отсутствия значительной энергетической щели в нанолентах графена имеются трудности по созданию быстро переключающихся транзисторов для цифровых схем на них. Для усиления аналоговых сигналов в ряде работ предложены графеновые туннельные транзисторы, полевые транзисторы, транзисторы с отрицательным сопротив- лением и генераторы с накачкой.

Приборы магнонной логики

Делается обзор работ по исследованиям и разработкам физико-технологической платформы создания устройств магнонной логики. Рассматриваются физические принципы построения устройств спиновой логики, методы управления фазой и эффекты интерференции спиновых волн при распространении в магнитных микроструктурах. Обсуждаются результаты микромагнитного моделирования и экспериментальных исследований эффектов распространения спиновых волн в микроволноводах на основе ферромагнитных металлов и пленок ферритов гранатов.

Магнитные свойства текстурированных пленок NiFe(111) и NiFe(200)

Впервые исследованы зависимости от толщины (d ≈ 20–370 нм) намагниченности насыщения 4πМ, ширины линии ферромагнитного резонанса (ФМР) ΔН, поля коэрцитивности Нс и формы петель гистерезиса для пленок пермаллоя Ni80Fe20 (NiFe) с текстурой (200). Полученные для пленок NiFe(200) зависимости магнитных параметров от толщины d сопоставлены с зависимостями 4πM(d), ΔН(d) и Нс (d) для пленок NiFe(111) с выраженной текстурой (111) и поликристаллических пленок NiFe.

Влияние давления аргона на текстуру и микроструктуру пленок кобальта, осаждаемых магнетронным распылением

Исследовано влияние давления рабочего газа аргона (0.13–0.09 ≤ P ≤ 1 Па) на микроструктуру и текстуру пленок кобальта, наносимых методом магнетронного распыления на постоянном токе на подложки SiO2/Si при комнатной температуре. Показано, что при высоких давлениях аргона P ≈ 1–0.22 Па пленки кобальта обладают столбчатой микроструктурой по толщине, а кристаллическая структура пленок соответствует смешанной кристаллической фазе: гексагональной плотноупакованной (гпу) с текстурой (002) и гранецентрированной кубической (гцк) с текстурой (111).

ТермоЭДС фононного увлечения в квантовой проволоке с параболическим потенциалом конфайнмента для электронов

Дана количественная теория термоЭДС фононного увлечения для одномерного вырожденного электронного газа в квантовой проволоке с параболическим удерживающим потенциалом конфайнмента. Градиент температуры направлен вдоль оси квантовой проволоки. За счет конфайнмента существенно меняется энергетический спектр и волновая функция электрона. Предполагается, что уровень Ферми расположен между нулевым и первым уровнем размерного квантования.

Углеродный пленочный нанокомпозит для сильноточных полевых источников электронов

Сформулированы требования и проблемы при создании катодных материалов для сильноточной эмиссионной электроники. Показано, что для создания автокатодов с плотностью тока до 100 А/см2 и выше необходима разработка новых наноструктурных углеродных материалов с поверхностной плотностью наноалмазных острий не менее чем 106–108 см-2. С использованием неравновесной микроволновой плазмы низкого давления определены области режимов для получения углеродных пленочных покрытий, содержащих алмазную и графитовую фазы в различных объемных соотношениях.

Страницы