Твердотельная электроника, микро- и наноэлектроника

Аннотация. В работе рассмотрена обратная ветвь вольт-амперной характеристики структуры с квантовыми ямами при подсветке с точки зрения обобщенной модели рекомбинации. Показано, что в процессе формирования вольт-амперных характеристик при обратном смещении и наличии внешней подсветки участвуют три процесса: оптическая генерация, рекомбинация и туннелирование. При подсветке структуры таким же светодиодом в квантовых ямах ведущую роль играет процесс оптической генерации. В результате получено выражение, описывающее ток через образец в этом случае.

В работе экспериментально исследуются эффекты возбуждения и распространения магнитостатических волн (МСВ) в касательно намагниченных микроволноводах шириной 5-15 µm, изготовленных из пленки железоиттриевого граната (ЖИГ) толщиной 0.9 µm с помощью фотолитографии и ионного травления, и имеющие интегрированные с волноводом микроантенны для возбуждения и приема МСВ. Обсуждаются вопросы по влиянию на характеристики МСВ ширины волновода, местоположения микроантенн, а также связи между паралельно расположенными микроволноводами.

The influence of defects on conduction processes in inorganic compounds based on metal chalcogenides and in copper and silver chalcogenides is considered. With decreasing temperature, the concentration of intrinsic carriers decreases and the conductivity is determined by the concentration and properties of impurities; in the process of transfer, carrier jumps begin to play directly over the impurities, and there is a low mobility.

Исследованы возможности создания сильноточных полевых источников электронов на основе тонкопленочных планарно-торцевых наноалмазографитовых структур, удовлетворяющих различным схемотехническим требованиям, а также причины возникновения неуправляемых режимов эксплуатации и фундаментальные факторы, приводящие к изменению вольт-амперных характеристик и ограничивающих максимальную величину автоэмиссионных токов, стабильность и долговечность сильноточной полевой эмиссии.

Разработана численная методика определения вторично-эмиссионных свойств пленочных алмазографитовых нанокомпозитов по яркости изображений в зависимости от величины положительного потенциала на сетке детектора сканирующего электронного микроскопа. С использованием разработанной методики проведена оценка вторично-эмиссионных свойств наноуглеродных пленочных структур, полученных в различных режимах микроволнового плазмохимического осаждения.