Cite this article as:

Mitin D. M., Volkova N. V., German S. V., Markin A. V., Venig S. B., Serdobintsev A. A. Application of Thin Film Structures Based on Amorphous Silicon for pH Measurements in Solutions. Izvestiya of Saratov University. New series. Series Physics, 2016, vol. 16, iss. 1, pp. 24-26. DOI: https://doi.org/10.18500/1817-3020-2016-16-1-24-26


Heading: 
UDC: 
УДК 539.234
Language: 
Russian

Application of Thin Film Structures Based on Amorphous Silicon for pH Measurements in Solutions

Abstract

Formation possibility of pH-sensor based on amorphous silicon thin films is shown. The principle of sensor operation is similar to the ionselective field effect transistor. Change of the investigated solution pH leads to change of depletion width and conductivity of amorphous silicon thin film structure.

References

1. Варфоломеев С. Д. Биосенсоры // Соросовский образоват. журн. 1997. № 1. С. 45–49.

2. Кукла А. Л., Лозовой С. В., Павлюченко А. С., Нагибин С. Н. Исследование метрологических параметров датчиков на основе pН-чувствительных полевых транзисторов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2013. № 2–3. С. 61–68.

3. Lee C. T., Chiu Y. S., Wang X. Q. Performance enhancement mechanisms of passivated InN/GaN-heterostructured ion-selective fi eld-effect-transistor pH sensors // Sensors and Actuators B. 2013. Vol. 181. P. 810– 815.

4. Дзядевич С. В. Биосенсоры на основе ионоселективных полевых транзисторов : теория, технология, практика // Біополімери і клітина. 2004. T. 20, № 1–2. C. 7–16.

5. Chen Y., Wang X., Erramilli S., Mohanty P. Siliconbased nanoelectronic fi eld-effect pH sensor with local gate control // Appl. Phys. Lett. 2006. Vol. 89, iss. 22. P. 223512-223512-3.

6. Чукин Г. Д. Химия поверхности и строение кремнезема. М. : Принта, 2008. С. 171.

Short text (in English): 
Full text (in Russian):