Для цитирования:
Митин Д. М., Волкова Н. В., Герман С. В., Маркин А. В., Вениг С. Б., Сердобинцев А. А. Применение тонкопленочных структур на основе аморфного кремния для измерения рH растворов // Известия Саратовского университета. Новая серия. Серия: Физика. 2016. Т. 16, вып. 1. С. 24-26. DOI: 10.18500/1817-3020-2016-16-1-24-26
Статья опубликована на условиях лицензии Creative Commons Attribution 4.0 International (CC-BY 4.0).
Полный текст в формате PDF(Ru):
(загрузок: 188)
Язык публикации:
русский
Рубрика:
УДК:
УДК 539.234
Применение тонкопленочных структур на основе аморфного кремния для измерения рH растворов
Авторы:
Митин Дмитрий Михайлович, Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н. Г. Чернышевского
Волкова Надежда Владимировна, Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н. Г. Чернышевского
Герман Сергей Викторович, Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н. Г. Чернышевского
Маркин Алексей Викторович, Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н. Г. Чернышевского
Вениг Сергей Борисович, Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н. Г. Чернышевского
Сердобинцев Алексей Александрович, Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н. Г. Чернышевского
Аннотация:
Показана возможность создания pH-сенсора на основе тонких плёнок аморфного кремния. Принцип работы датчика схож с механизмом действия ионоселективного полевого транзистора. Изменение pH исследуемого раствора приводит к изменению толщины обедненной области и, следовательно, проводимости структуры на основе пленки аморфного кремния.
Ключевые слова:
Список источников:
- Варфоломеев С. Д. Биосенсоры // Соросовский образоват. журн. 1997. № 1. С. 45–49.
- Кукла А. Л., Лозовой С. В., Павлюченко А. С., Нагибин С. Н. Исследование метрологических параметров датчиков на основе pН-чувствительных полевых транзисторов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2013. № 2–3. С. 61–68.
- Lee C. T., Chiu Y. S., Wang X. Q. Performance enhancement mechanisms of passivated InN/GaN-heterostructured ion-selective fi eld-effect-transistor pH sensors // Sensors and Actuators B. 2013. Vol. 181. P. 810– 815.
- Дзядевич С. В. Биосенсоры на основе ионоселективных полевых транзисторов : теория, технология, практика // Біополімери і клітина. 2004. T. 20, № 1–2. C. 7–16.
- Chen Y., Wang X., Erramilli S., Mohanty P. Siliconbased nanoelectronic fi eld-effect pH sensor with local gate control // Appl. Phys. Lett. 2006. Vol. 89, iss. 22. P. 223512-223512-3.
- Чукин Г. Д. Химия поверхности и строение кремнезема. М. : Принта, 2008. С. 171.
Краткое содержание:
(загрузок: 162)
- 1409 просмотров