Izvestiya of Saratov University.

Physics

ISSN 1817-3020 (Print)
ISSN 2542-193X (Online)

For citation:

Afanasyev M. S., Mitiagin A. I., Chucheva G. V. Voltage-capacitance Characteristics of MIS-structures Based on Ferroelectric Films. Izvestiya of Saratov University. Physics , 2013, vol. 13, iss. 1, pp. 7-9. DOI: 10.18500/1817-3020-2013-13-1-7-9

This is an open access article distributed under the terms of Creative Commons Attribution 4.0 International License (CC-BY 4.0).
Full text:
download
(downloads: 170)
Language: 
Russian
Heading: 
Physics
UDC: 
537.9
DOI: 
10.18500/1817-3020-2013-13-1-7-9

Voltage-capacitance Characteristics of MIS-structures Based on Ferroelectric Films

Autors: 
Afanasyev Mikhail Sergeevich, Institute of Biochemistry and Physiology of Plants and Microorganisms, Saratov Scientific Centre of the Russian Academy of Sciences (IBPPM RAS)
Mitiagin Alexander Iur'evich, Institute of Biochemistry and Physiology of Plants and Microorganisms, Saratov Scientific Centre of the Russian Academy of Sciences (IBPPM RAS)
Chucheva Galina Viktorovna, Institute of Biochemistry and Physiology of Plants and Microorganisms, Saratov Scientific Centre of the Russian Academy of Sciences (IBPPM RAS)
Abstract: 

Metal–ferroelectric–semiconductor (MFS) heterostructures are created on n-type and p-type silicon substrates. Electronically-controlled capacitors are realized in MFS heterostructures. Measured parameters of electronically-controlled capacitors at 50 V bias voltage showed, that the stroke of voltage-capacitance characteristics of capacitors on the p-type silicon mirror reflexion of the stroke of voltage-capacitance characteristics of capacitors on the n-type silicon.

Key words: 
сегнетоэлектрики
структура металл-сегнетоэлектрик-полупроводник
кремний
вольтфарадная характеристика
Reference: 
  1. Ковтонюк Н. Ф. Электронные элементы на основе структур полупроводник–диэлектрик. М. : Энергия, 1976.
  2. Воротилов К. А., Мухортов В. М., Сигов А. С. Интегрированные сегнетоэлектрические устройства / под ред. чл.-корр. РАН А. С. Сигова. М. : Энергоатомиздат, 2011. 175 с.
  3. Афанасьев М. С., Иванов М. С. Особенности формирования тонких сегнетоэлектрических пленок BaxSr1-xTiO3 на различных подложках методом высокочастотного распыления // ФТТ. 2009. Т. 51, № 7. С. 1259–1262.
  4. Гольдман Е. И., Ждан А. Г., Чучева Г. В. Определение коэффициентов ионного переноса в диэлектрических слоях на поверхности полупроводников по динамическим вольтамперным характеристикам деполяризации // ПТЭ. 1997. № 2. С.110–115.
  • 1464 reads