Izvestiya of Saratov University.

Physics

ISSN 1817-3020 (Print)
ISSN 2542-193X (Online)


For citation:

Afanasyev M. S., Mitiagin A. I., Chucheva G. V. Voltage-capacitance Characteristics of MIS-structures Based on Ferroelectric Films. Izvestiya of Sarat. Univ. Physics. , 2013, vol. 13, iss. 1, pp. 7-9. DOI: 10.18500/1817-3020-2013-13-1-7-9

This is an open access article distributed under the terms of Creative Commons Attribution 4.0 International License (CC-BY 4.0).
Full text:
(downloads: 31)
Language: 
Russian
Heading: 
UDC: 
537.9

Voltage-capacitance Characteristics of MIS-structures Based on Ferroelectric Films

Autors: 
Afanasyev Mikhail Sergeevich, IRE im. V.A.Kotel'nikova RAN
Mitiagin Alexander Iur'evich, IRE im. V.A.Kotel'nikova RAN
Chucheva Galina Viktorovna, IRE im. V.A.Kotel'nikova RAN
Abstract: 

Metal–ferroelectric–semiconductor (MFS) heterostructures are created on n-type and p-type silicon substrates. Electronically-controlled capacitors are realized in MFS heterostructures. Measured parameters of electronically-controlled capacitors at 50 V bias voltage showed, that the stroke of voltage-capacitance characteristics of capacitors on the p-type silicon mirror reflexion of the stroke of voltage-capacitance characteristics of capacitors on the n-type silicon.

Reference: 
  1. Ковтонюк Н. Ф. Электронные элементы на основе структур полупроводник–диэлектрик. М. : Энергия, 1976.
  2. Воротилов К. А., Мухортов В. М., Сигов А. С. Интегрированные сегнетоэлектрические устройства / под ред. чл.-корр. РАН А. С. Сигова. М. : Энергоатомиздат, 2011. 175 с.
  3. Афанасьев М. С., Иванов М. С. Особенности формирования тонких сегнетоэлектрических пленок BaxSr1-xTiO3 на различных подложках методом высокочастотного распыления // ФТТ. 2009. Т. 51, № 7. С. 1259–1262.
  4. Гольдман Е. И., Ждан А. Г., Чучева Г. В. Определение коэффициентов ионного переноса в диэлектрических слоях на поверхности полупроводников по динамическим вольтамперным характеристикам деполяризации // ПТЭ. 1997. № 2. С.110–115.