тонкие плёнки

Формирование макроструктур в сегнетоэлектрических жидких кристаллах под воздействием электрических и магнитных полей

Изучение плёнок сегнетоэлектрических жидких кристаллов (СЖК) сводит воедино несколько наиболее актуальных направлений исследования для создания электрооптических устройств с временами переключения порядка 10 мкс. Возможность приготовления тонких жидкокристаллических плёнок и задание разной ориентации директора на подложках делают такие плёнки интересным объектом для исследования эффектов в ограниченном объёме.

Влияние давления аргона на текстуру и микроструктуру пленок кобальта, осаждаемых магнетронным распылением

Исследовано влияние давления рабочего газа аргона (0.13–0.09 P 1 Па) на микроструктуру и текстуру пленок кобальта, наносимых методом магнетронного распыления на постоянном токе на подложки SiO2/Si при комнатной температуре. Показано, что при высоких давлениях аргона P 1–0.22 Па пленки кобальта обладают столбчатой микроструктурой по толщине, а кристаллическая структура пленок соответствует смешанной кристаллической фазе: гексагональной плотноупакованной (гпу) с текстурой (002) и гранецентрированной кубической (гцк) с текстурой (111).

Влияние примесных атомов Sm на эффект переключения в тонких пленках GeS

В последние годы возросло внимание к новым полупроводни- ковым материалам на основе АivВvi. Среди них особый интерес представляют тонкие фоточувствительные пленки моносульфида германия. Недавно было создано уникальное устройство из GeS. Тонкие пластинки способны содержать большое количество ионов лития. Данный материал отлично подходит в качестве сырья при производстве солнечных панелей. Наряду с этим качеством тонкие пленки моносульфида германия обладают эффектами переключения и памяти. Тонкие пленки, полученные термическим испарением на холодных подложках, являются аморфными.

РАСЧЁТ ТЕПЛОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ И ТЕХНОЛОГИЯ ФОРМИРОВАНИЯ МПЛ СВЧ ДИАПАЗОНА

Проведен расчёт теплофизических параметров микрополосковой линии передачи (МПЛ) СВЧ диапазона. Расчеты показали, что высокая теплопроводность алмаза позволяет осуществлять эффективный отвод тепла от активной зоны МПЛ, увеличивая мощность входного сигнала до 50 Вт на частоте 3 ГГц без ухудшения частотных характеристик МПЛ. 

Применение тонкопленочных структур на основе аморфного кремния для измерения рH растворов

Показана возможность создания pH-сенсора на основе тонких плёнок аморфного кремния. Принцип работы датчика схож с механизмом действия ионоселективного полевого транзистора. Изменение pH исследуемого раствора приводит к изменению толщины обедненной области и, следовательно, проводимости структуры на основе пленки аморфного кремния.