В последние годы возросло внимание к новым полупроводни- ковым материалам на основе АivВvi. Среди них особый интерес представляют тонкие фоточувствительные пленки моносульфида германия. Недавно было создано уникальное устройство из GeS. Тонкие пластинки способны содержать большое количество ионов лития. Данный материал отлично подходит в качестве сырья при производстве солнечных панелей. Наряду с этим качеством тонкие пленки моносульфида германия обладают эффектами переключения и памяти. Тонкие пленки, полученные термическим испарением на холодных подложках, являются аморфными. Примеси редкоземельных элементов, в том числе атомы Sm, образуют зародыши кристаллизации. Несмотря на то что кристаллизация полностью не осуществляется по всему объему, фазовый переход обнаруживается в тонких пленках GeS:Sm. Характерными для этого эффекта является большая разница в сопротивлении высокоомного и низкоом- ного состояния, большое число циклов переключения, малые времена и энергии переключения. В ходе наших исследований было выявлено, что кратность изменения сопротивления при переключении равна 105–106 , время переключения – (~10-6 с), потребляемая энергия при переключении – (~10-7 Дж). Это обусловливает необходимость исследования основных закономерностей эффекта переключения проводимости в тонких пленках GeS:Sm с памятью, их зависимость от внешних факторов. В связи с этим были проведены исследования влияния температуры и освещения на эффект переключения в тонких пленках GeS:Sm.