Известия Саратовского университета.
ISSN 1817-3020 (Print)
ISSN 2542-193X (Online)


фазовый переход

Влияние примесных атомов Sm на эффект переключения в тонких пленках GeS

В последние годы возросло внимание к новым полупроводни- ковым материалам на основе АivВvi. Среди них особый интерес представляют тонкие фоточувствительные пленки моносульфида германия. Недавно было создано уникальное устройство из GeS. Тонкие пластинки способны содержать большое количество ионов лития. Данный материал отлично подходит в качестве сырья при производстве солнечных панелей. Наряду с этим качеством тонкие пленки моносульфида германия обладают эффектами переключения и памяти.

Фазовые изменения мультиферроидных магнитных материалов, применяемых в системах внешней памяти

Представлен обзор исследований технологических основ мультиферроидных матери- алов с целью возможного их использования в устройствах экстренного уничтожения информации. Анализ характеристик материалов позволил уточнить их фазовые изменения от внешних воздействий и исследовать магнитные свойства.