Izvestiya of Saratov University.

Physics

ISSN 1817-3020 (Print)
ISSN 2542-193X (Online)

For citation:

Kuznetsov V. A. Resonant Properties of Electronic Flows in Semiconductor Structures with Modulated Dielectric Permeability. Izvestiya of Saratov University. Physics , 2010, vol. 10, iss. 2, pp. 30-34. DOI: 10.18500/1817-3020-2010-10-2-30-34

This is an open access article distributed under the terms of Creative Commons Attribution 4.0 International License (CC-BY 4.0).
Full text:
download
(downloads: 199)
Language: 
Russian
Heading: 
Physics
UDC: 
537.86/87
DOI: 
10.18500/1817-3020-2010-10-2-30-34

Resonant Properties of Electronic Flows in Semiconductor Structures with Modulated Dielectric Permeability

Autors: 
Kuznetsov Vladimir Aleksandrovich, Saratov State Agrarian University named after N.I. Vavilov
Abstract: 

It is shown that the directed self-organizing of an electronic flow in semiconductors may be caused by a mechanism based on interaction of the flow with heterogeneities formed by a fixed distribution of dielectric permeability. The behavior of resonant amplitude values of the flow speed in a quasiballistic mode is considered depending on heterogeneity factors.

Key words: 
self-organizing of electronic flow
quasiballistic mode
semiconductor structures
hydrodynamical method
resonant properties
parameters of heterogeneity
Reference: 
  1. Николас Р., Пригожин И. Самоорганизация в неравновесных системах. М.: Мир, 1979. 407 с.
  2. Рыжий В.И., Баннов Н.А., Федирко В.А. Баллистический и квазибаллистический транспорт в полупроводниковых структурах // ФТП. 1984. Т.18, №5. С.769–785.
  3. Вул Б.М., Шотов А.П. Ударная ионизация в полупроводниках // Проблемы современной физики. Л.: Знание, 1980. С.93–100.
  4. Баннов Н.А., Лейман В.Г., Рыжий В.И. О протекании тока через полупроводниковые слои субмикронной толщины в квазибаллистическом режиме // Радиотехника и электроника. 1981. Т.26, №12. С. 2635–2639.
  5. Ермолаев Ю.А., Санин А.Л. Волны резонансных структур в плазме // 6-я Всесоюзн. конф. по физике низкотемпературной плазмы. Л.: Знание, 1983. С.375–377.
  6. Антонов В.В., Кузнецов В.А. Взаимодействие лазерного излучения инфракрасного диапазона с управляемой концентрационной неоднородностью // Радиотехника и связь: Межвуз. науч. сб. / Сарат. гос. техн. ун-т. Саратов, 2009. С.305–314. 
  7. Shur M., Eastman L. Ballistic transport in semiconductors // IEEE Trans. Electron Devices. 1979. Vol.26, №11. Р.12–30.
  8. Антонов В.В., Кузнецов В.А. // Пат. 85234 РФ. МКИ G01N 21/00. Дефлектор инфракрасного излучения. Опубл. 27.07.2009 . Бюл. № 21. С.54−57.
  9. Шик А.Я. Физика низкоразмерных систем. СПб.: Наука. Санкт-Петерб. отд-ние, 2001. 160 с. 
  10. Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия. М.: Мир, 1991. 632 с.
  • 1197 reads