Известия Саратовского университета.

Новая серия. Серия Физика

ISSN 1817-3020 (Print)
ISSN 2542-193X (Online)

Для цитирования:

Кузнецов В. А. Резонансные свойства электронных потоков в полупроводниковых структурах с модулированной диэлектрической проницаемостью // Известия Саратовского университета. Новая серия. Серия: Физика. 2010. Т. 10, вып. 2. С. 30-34. DOI: 10.18500/1817-3020-2010-10-2-30-34

Статья опубликована на условиях лицензии Creative Commons Attribution 4.0 International (CC-BY 4.0).
Полный текст в формате PDF(Ru):
скачать
(загрузок: 154)
Язык публикации: 
русский
Рубрика: 
Физика
УДК: 
537.86/87
DOI: 
10.18500/1817-3020-2010-10-2-30-34

Резонансные свойства электронных потоков в полупроводниковых структурах с модулированной диэлектрической проницаемостью

Авторы: 
Кузнецов Владимир Александрович, Саратовский государственный аграрный университет имени Н. И. Вавилова
Аннотация: 

Показано, что в основе направленной самоорганизации электронного потока в полупроводниках может быть механизм, основанный на взаимодействии потока с неоднородностями, образованными фиксированным распределением диэлектрической проницаемости. В квазибаллистическом режиме рассмотрено поведение резонансных значений амплитуд скорости потока в зависимости от факторов неоднородности.

Ключевые слова: 
самоорганизация электронного потока
квазибаллистический режим
полупроводниковые структуры
гидродинамический метод
резонансные свойства
параметры неоднородности.
Список источников: 
  1. Николас Р., Пригожин И. Самоорганизация в неравновесных системах. М.: Мир, 1979. 407 с.
  2. Рыжий В.И., Баннов Н.А., Федирко В.А. Баллистический и квазибаллистический транспорт в полупроводниковых структурах // ФТП. 1984. Т.18, №5. С.769–785.
  3. Вул Б.М., Шотов А.П. Ударная ионизация в полупроводниках // Проблемы современной физики. Л.: Знание, 1980. С.93–100.
  4. Баннов Н.А., Лейман В.Г., Рыжий В.И. О протекании тока через полупроводниковые слои субмикронной толщины в квазибаллистическом режиме // Радиотехника и электроника. 1981. Т.26, №12. С. 2635–2639.
  5. Ермолаев Ю.А., Санин А.Л. Волны резонансных структур в плазме // 6-я Всесоюзн. конф. по физике низкотемпературной плазмы. Л.: Знание, 1983. С.375–377.
  6. Антонов В.В., Кузнецов В.А. Взаимодействие лазерного излучения инфракрасного диапазона с управляемой концентрационной неоднородностью // Радиотехника и связь: Межвуз. науч. сб. / Сарат. гос. техн. ун-т. Саратов, 2009. С.305–314. 
  7. Shur M., Eastman L. Ballistic transport in semiconductors // IEEE Trans. Electron Devices. 1979. Vol.26, №11. Р.12–30.
  8. Антонов В.В., Кузнецов В.А. // Пат. 85234 РФ. МКИ G01N 21/00. Дефлектор инфракрасного излучения. Опубл. 27.07.2009 . Бюл. № 21. С.54−57.
  9. Шик А.Я. Физика низкоразмерных систем. СПб.: Наука. Санкт-Петерб. отд-ние, 2001. 160 с. 
  10. Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия. М.: Мир, 1991. 632 с.
  • 941 просмотр