For citation:
Yafarov R. K. Nonequilibrium the Microwave Plasma of Low Pressure in Scientific Researches and Development Micro and Nanoelectronics. Izvestiya of Saratov University. Physics , 2015, vol. 15, iss. 2, pp. 18-31. DOI: 10.18500/1817-3020-2015-15-2-18-31
This is an open access article distributed under the terms of Creative Commons Attribution 4.0 International License (CC-BY 4.0).
Full text:
(downloads: 621)
Language:
Russian
Heading:
UDC:
533.9
Nonequilibrium the Microwave Plasma of Low Pressure in Scientific Researches and Development Micro and Nanoelectronics
Autors:
Yafarov Ravil' Kiashshafovich, Saratov State University
Abstract:
Advantages and benefits realization use of nanotechnology of high ionized low-energy microwave plasma of low pressure are described. It presents the fact that one installation on the basis of microwave plasma can replace up 4 to 5 installations with usual high-frequency excitation of the gas discharge.
Key words:
Reference:
- Гинзбург В. Л. Распространение электромагнитных волн в плазме. М. : Наука, 1967. 685 с.
- Голант В. Е. Газовый разряд на сверхвысоких частотах // УФН. 1958. Т. 65, вып.1. С. 39–86.
- Гуляев Ю. В., Яфаров Р. К. Микроволновое ЭЦР вакуумно-плазменное воздействие на конденсированные среды в микроэлектронике (физика процессов, оборудование, технология) // Зарубежная электронная техника. 1997. № 1. С. 77–120.
- Оура К., Лифшиц В. Г., Саранин А. А., Зотов А. В., Катаяма М. Введение в физику поверхности. М. :Наука, 2006. 490 с.
- Алферов Ж. И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур // ФТП. 1998. Т. 32, № 1. С. 3–18.
- Меден А., Шо М. Физика и применение аморфных полупроводников / пер. с англ. М. : Мир, 1991. 670 с.
- Джоунопулос Дж., Люковски Дж. Физика гидрогенизированного аморфного кремния. М. : Мир, 1988. Вып. 1. 448 с.
- Нанотехнологии в полупроводниковой электронике /отв. ред. А. Л. Лосев. Новосибирск : Изд-во СО РАН, 2004. 368 с.
- Thundat Т., Nagahara L. A., Oden P. I., Lindsay S. M., George M. A., Glaunsinger W. S. Modifi cation of tantalium surfaces by scanning tunneling microscopy in an electrochemical cell // J. Vac. Technol. 1990. Vol. A8, № 4. P. 3537–3541.
- Neubauer G., Cohen S. R., McClelland G. M., Home D. Force microscopy with bidirectional capacitance sensor // Rev. Sci. Instrum. 1990. Vol. 61, № 9. P. 2296–2308.
- Huang Y., Williams C. C., Wendman M. A. Quantitative two-dimensional dopant profi ling of abrupt dopant profi les by cross-sectional scanning capacitance microscopy // J. Vac. Sci. Technol. 1996. Vol. A14, № 3. P. 1168–1171.
- Kikukawa A., Hosaka S., Honda Y., Imura R. Phaselocked noncontact scanning force microscope // Rev. Sci. Instrum. 1995. Vol. 66, № 1. P. 101–105.
- Wiesendanger R. Scanning Probe Microscopy and Spectroscopy // Appl. Surf. Sci. 1992. Vol. 54. P. 271–276.
- Игнатьев А. С., Терентьев С. А., Яфаров Р. К. Низкоэнергетичное травление GaAs в хлорсодержащем газовом СВЧ-разряде с ЭЦР // Микроэлектроника. 1993. № 4. С. 14–21.
- Chenng R., Lee Y., Knoedler C., Lee K., Smith T., Kern D.Sidewall damade in n-GaAs guantum wires from reactive ion etching // Appl. Phys. Lett. 1989. Vol. 54, № 21.P. 2130–2132.
- shikuro H., Fujii Т., Saraya Т., Hashiguchi G., Hiramoto T., Ikoma T. Coulomb blockade oscillations at room temperature in a Si quantum wire metal-oxide-semiconductor field-effect transistor fabricated by anisotropic etching on a silicon-on-insulator substrate // Appl. Phys. Lett. 1996. Vol. 68. Р. 3585–3591.
- Алферов Ж. И., Бимберг Д., Егоров А. Ю., Жуков А. Е.,Копьев П.С., Леденцов Н. Н., Рувимов С. С., Устинов В. М., Хейденрайх И. Напряженные субмонослойные гетероструктуры и гетероструктуры с квантовыми точками // УФН. 1995. Т. 165, вып. 2. С. 224–225.
- Быков А. А., Квон З. Д., Ольшанский Е. Б., Асеев А. Л.,Бакланов М. Р., Литвин Л. В., Настаушев Ю. В., Мансуров В. Г., Мигаль В. П., Мощенко С. П. Квази- баллистический квантовый интерферометр // УФН. 1995. Т. 165, вып. 2. С. 227–229.
- Атомная структура полупроводниковых систем / отв.ред. А. Л. Асеев. Новосибирск : Изд-во СО РАН, 2006.292 с.
- Facsko S., Dekorsy T., Koerdt C., Trappe C., Kurz H.,Vogt A., Hartnagel H. L. Formation of Ordered Nanoscale Semiconductor Dots by Ion Sputtering // Science. 1999. Vol. 285, № 5433. P. 1551–1553
- Rusponi S., Constantini G., Buatier-de-Mongeot F., Boragno C., Valbusaet U. Patterning a surface on the nanometric scale by ion sputtering // Appl. Phys. Lett. 1999. Vol. 75, № 21. P. 3318–3320.
- Gago R., Vazquez E., Guerno R., Varela M., Ballesteros G., Albella J. M. Productioniof ordered silicon nanocrystals by low-energy ion sputtering // Appl. Phys. Lett. 2001. Vol.78, № 21. P. 3316–3318.
- Yin Y., Gates B., Xia Y. A Soft Lithographic Approach to the Fabrication of Nanostructures of Single Crystalline Silicon with Well-Defi ned Dimensions and Shapes // Adv.Mater. 2000. Vol. 12, № 19. P. 1426–1429.
- Grom G. F., Lockwood D. J., McCaffrey J. P., Labbe H. J., Fauchet P. M., White B., Diener J., Kovalev D., Koch F., Tsybeskov L. Ordering and self-organization in nanocrystalline silicon // Nature. 2000. Vol. 407, № 6802. P. 358–361.
- Герасименко Н. Н., Пархоменко Ю. Н. Кремний – материал наноэлектроники. М. : Техносфера, 2007. 325 с.
- Силин А. Р., Трухин А. Н. Точечные дефекты и элементарные возбуждения в кристаллическом и стеклообразном SiO2. Рига : Зинатне, 1985. 244 с.
- Lalic N., Linnros J. Light emitting diode structure based on Si nanocrystals formed by implantation into thermal oxide // Luminscence. 1999. Vol. 80, № 1–4. P. 263–267.
- Edelberg E., Bergh S., Naone R., Hall M., Audil E. A. Visible luminescence from nanocrystalline silicon fi lms produced by plasma enhanced chemical vapor deposition // Appl. Phys. Lett. 1996. Vol. 68, № 10. P. 1415–1417.
- Голубев В. Г., Медведев А. В., Певцов А. Б., Селькин А. В., Феоктистов Н. А. Фотолюминесценция тонких пленок аморфно-нанокристаллического кремния // ФТТ. 1999. Т. 41, вып. 1. С. 153–158.
- He Y., Yin C., Cheng G., Wang L., Liu X., Hu G. Y. The structure and properties of nanosize crystalline silicon films // J. Appl. Phys. 1994. Vol. 75, № 2. P. 797–803.
- Голубев В. Г., Медведев А. В., Певцов А. Б., Силкин А. В., Феоктистов Н. А. Спектры рамановского рассеяния и электропроводность тонких пленок кремния со смешанным аморфно-нанокристаллическим фазовым составом : определение объемной доли нанокристаллической фазы // ФТТ. 1997. Т. 39, вып. 8. С. 1348–1353.
- Нефедов Д. В., Яфаров Р. К. Влияние температуры на формирование кремниевых нанокристаллитов на некристаллических подложках в плазме СВЧ газового разряда низкого давления // ПЖТФ. 2008. Т. 34, вып. 2. С. 62–68.
- Усанов Д. А., Яфаров Р. К. Методы получения и исследования самоорганизующихся наноструктур на основе кремния и углерода. Саратов : Изд-во Сарат. ун-та, 2011. 126 с.
- Витязь П. А. Состояние и перспективы использования наноалмазов детонационного синтеза в Белоруссии // ФТТ. 2004. Т. 46, вып. 4. С. 591–595.
- Даниленко В. В. Синтез и спекание алмазов взрывом.М. : Энергоатомиздат, 2003. 272 с.
- Алехин А. А., Суздальцев С. Ю., Яфаров Р. К. Тонкая структура углеродных пленок, полученных в плазме микроволнового газового разряда низкого давления // Письма в ЖТФ. 2003. Т. 29, вып.15. С. 73–79.
- Алмазы в электронной технике : сб. ст. / отв. ред. В. Б. Квасков. М. : Энергоатомиздат, 1990. 248 с.
- Зайцев Н. А., Горнев Е. С., Орлов С. Н., Красников А. Г., Свечкарев К. П., Яфаров Р. К. Наноалмазографитовые автоэмиттеры для интегральных автоэмиссионных элементов // Наноиндустрия. 2011. № 5. С. 37–41.
- Рябов С. Н., Кутолин С. А., Бойкин Н. И. Физико-химические особенности процессов плазмохимического травления : обзоры по электронной технике. М. : ЦНИИ «Электроника», 1981. С. 73–79. (Сер. 7. Технология, организация производства и оборудование. Вып. 20 (844)).
- Кэррол Д. СВЧ-генератор на горячих электронах. М. : Мир, 1972. 382 с.
- Яфаров Р. К. Физика СВЧ вакуумно-плазменных нанотехнологий. М. : Физматлит, 2009. 216 с.
- Биберман Л. М., Воробьев В. С., Якубов И. Т. Низкотемпературная плазма с неравновесной ионизацией // УФН. 1979. Т. 128, вып. 2. С. 233–271.
- Никольский О. А., Юдин В. И. Генерирование и усиление колебаний // Сб. тр. Воронеж. политехн. ин-та.1973. № 6. С. 252–267.
- Никольский О. А., Юдин В. И. Энергетический спектр электронов плазмы в электромагнитном поле // Радиотехника и электроника. 1977. № 2. С. 309–312.
- Гуляев Ю. В., Черкасов И. Д., Яфаров Р. К. Диффузионная модель газового СВЧ-разряда в магнитном поле с распределенным вводом энергии // Докл. АН. 1998. Т. 358, № 3. С. 333–336.
- Устройство для микроволновой вакуумно-плазменной с электронным циклотронным резонансом обработки конденсированных сред на ленточных носителях: пат. 2153733 Рос. Федерация. № 99110048/28 ; заявл. 07.05.1999 ; опубл. 27.07.00. Бюл. № 21. 17 с.
- 1729 reads