Известия Саратовского университета.

Новая серия. Серия Физика

ISSN 1817-3020 (Print)
ISSN 2542-193X (Online)


Образец для цитирования:

Гасанов Х. А., Гусейнов Д. И., Дадашова В. В., Набиев А. Э., Аббасов И. И. ТермоЭДС фононного увлечения в квантовой проволоке с параболическим потенциалом конфайнмента для электронов //Известия Саратовского университета. Новая серия. Серия Физика. 2017. Т. 17, вып. 4. С. 263-268. DOI: https://doi.org/10.18500/1817-3020-2017-17-4-263-268

Язык публикации: 
русский
УДК: 
537.9; 537.322.1; 538.935

ТермоЭДС фононного увлечения в квантовой проволоке с параболическим потенциалом конфайнмента для электронов

Авторы: 
Гасанов Ханлар Алы оглы, Азербайджанский государственный педагогический университет
Гусейнов Джахангир Ислам оглы, Азербайджанский государственный педагогический университет
Дадашова Вусала Валех кызы, Бакинский государственный университет
Набиев Асаф Энвер Оглы, Азербайджанский государственный педагогический университет
Аббасов Ибрагим Иса оглы, Азербайджанский государственный университет нефти и промышленности
Аннотация: 

Дана количественная теория термоЭДС фононного увлечения для одномерного вырожденного электронного газа в квантовой проволоке с параболическим удерживающим потенциалом конфайнмента. Градиент температуры направлен вдоль оси квантовой проволоки. За счет конфайнмента существенно меняется энергетический спектр и волновая функция электрона. Предполагается, что уровень Ферми расположен между нулевым и первым уровнем размерного квантования. Проведенный анализ показывает, что доминирующим механизмом рассеяния при низких температурах для сильно вырожденного электронного газа является рассеяние на ионизированных примесях, а для фононного – рассеяние на границе образца. В интервале температур 1–2 К диффузионная термоЭДС превышает фононную, с повышением температуры фононная термоЭДС резко растет, превышая диффузионную на порядок. Диффузионная составляющая термоЭДС изменяется приблизительно обратно пропорционально концентрации, а фононная – обратно пропорционально квадрату концентрации. Показано, что в температурном интервале 1–20 К основной вклад в термоЭДС дает фононное увлечение.

DOI: 
10.18500/1817-3020-2017-17-4-263-268
Библиографический список: 

1. Bhattacharya P., Ghosh S., Stiff-Roberts A. D. Quantum dot opto-electronic devices // Annu. Rev. Mater. Res. 2004. Vol. 34, iss. 1. P. 1–40. DOI: https://doi.org/10.1146/annurev.matsci.34.040203.111535

2. Basabe-Desmonts L., Reinhoudt D. N., Crego-Calama M. Design of fl uorescent materials for chemical sensing // Chem. Soc. Rev. 2007. Vol. 36, iss. 6. P. 993–1017. DOI: https://doi.org/10.1039/B609548H

3. Rosenthal S. J., McBride J., Pennycook S. J., Feldman L. C. Synthesis, surface studies, composition and structural characterization of CdSe, core/shell and biologically active nanocrystals // Surf. Sci. Rep. 2007. Vol. 62, iss. 4. P. 111–157. DOI: https://doi.org/10.1016/j.surfrep.2007.02.001

4. Rhyner M. N., Smith A. M, Gao X., Mao H., Yang L., Nie S. Quantum dots and multifunctional nanoparticles : new contrast agents for tumor imaging // Nanomedicine. 2006. Vol. 1, iss. 2. P. 209–217. DOI: https://doi.org/10.2217/17435889.1.2.209

5. Fletcher R., Harris J. J., Foxon C. T., Tsaousidou M., Butcher P. N. Thermoelectric properties of a very-lowmobility two-dimensional electron gas // Phys. Rev. B. 1994. Vol. 50, iss. 20. P.14991–14998. DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.50.14991

6. Kubakaddi S. S., Butcher P. N. A calculation of the phonon-drag thermopower of a 1D electron gas // J. Phys. : Condens. Matter. 1989. Vol. 1, № 25. P. 3939–3946. DOI: https://doi.org/10.1088/0953-8984/1/25/006

7. Wu M. W., Horing N. J. M., Cui H. L. Phonon-drag effects on thermoelectric power // Phys. Rev. B. 1996. Vol. 54, № 8. P. 5438–5443. DOI: https://doi.org/https://doi.org/10.1103/PhysRevB.54.5438

8. Mao J., Liu Z., Ren Z. Size effect in thermoelectric materials // Quantum Materials 1. 2016. Article number : 16028. DOI: 10.1038/npjquantmats.2016.28.

9. Shi L. Thermal and thermoelectric transport innanostructures and low-dimensional systems // Nanoscale and Microscale Thermophysical Engineering. 2012. Vol. 16, iss. 2, P.79–116.

10. СинявскийЭ. П., Соловенко В. Г. Особенности термоэдс в квантовых проволоках Bi в поперечных магнитном и электрическом полях // ФТТ. 2014. Т. 56, вып.11. C. 2197–2200.

11. Дмитриев А. В., Звягин И. П. Современные тенденции развития физики термоэлектрических материалов // УФН. 2010. Т. 180, № 8. C. 821–838.

12. Lyo S. K. Low-temperature phonon-drag thermoelectric power in heterojunctions // Phys. Rev. B. 1988. Vol. 38, iss. 9. P. 6345–6347. DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.38.6345

13. Hashimzade F. M., Babayev M. M., Mehdiyev B. H., Hasanov Kh. A. Magnetothermoelectric effects of 2D electron gas in quantum well with parabolic confi nement potential in-plane magnetic fi eld // Journal of Physics : Conference Series. 245. 2010. P. 012015–012018.

14. Fletcher R., Maan J. C., Weimann G. Experimental results on the high-fi eld thermopower of a two-dimensional electron gas in a GaAs-Ga1-xAlxAs heterojunction // Phys. Rev. B. 1985. Vol. 32, iss. 12. P. 8477–8481. DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.32.8477

15. Аскеров Б. М. Электронные явления переноса в полу- проводниках. М. : Наука, 1985. 318 c.

16. Гантмахер В. Ф., Левинсон И. Б. Рассеяние носителей тока в металлах и полупроводниках. М. : Наука, 1984. 352 с.

17. Синявский Э. П., Сокович С. М. Электроиндуцированная люминесценция в параболических квантовых ямах в магнитном поле // ФТТ. 2000. Т. 42, вып. 9. С. 1685–1688.

Краткое содержание: 
Полный текст в формате PDF(Ru):