Для цитирования:
Чучева Г. В., Афанасьев М. С., Анисимов И. А., Георгиева А. И., Левашов С. А., Набиев А. Э. Определение параметров планарных конденсаторов на основе тонкопленочных сегнетоэлектрических материалов // Известия Саратовского университета. Новая серия. Серия: Физика. 2012. Т. 12, вып. 2. С. 8-11. DOI: 10.18500/1817-3020-2012-12-2-8-11
Статья опубликована на условиях лицензии Creative Commons Attribution 4.0 International (CC-BY 4.0).
Полный текст в формате PDF(Ru):
(загрузок: 215)
Язык публикации:
русский
Рубрика:
УДК:
537.9
Определение параметров планарных конденсаторов на основе тонкопленочных сегнетоэлектрических материалов
Авторы:
Чучева Галина Викторовна, Институт биохимии и физиологии растений и микроорганизмов, ФИЦ «Саратовский научный центр РАН» (ИБФРМ РАН)
Афанасьев Михаил Сергеевич, Институт биохимии и физиологии растений и микроорганизмов, ФИЦ «Саратовский научный центр РАН» (ИБФРМ РАН)
Анисимов Илья Андреевич, Институт биохимии и физиологии растений и микроорганизмов, ФИЦ «Саратовский научный центр РАН» (ИБФРМ РАН)
Георгиева Анастасия Игоревна, Институт биохимии и физиологии растений и микроорганизмов, ФИЦ «Саратовский научный центр РАН» (ИБФРМ РАН)
Левашов Сергей Александрович, Институт биохимии и физиологии растений и микроорганизмов, ФИЦ «Саратовский научный центр РАН» (ИБФРМ РАН)
Набиев Асаф Энвер Оглы, Азербайджанский государственный педагогический университет
Аннотация:
Проведенные экспериментальные исследования позволяют заключить, что в структуре Ni/Ba0.8Sr0.2TiO3/MgO с линейными размерами 150 ×150 мм можно реализовать планарный конденсаторный элемент, вариативный по диапазону ёмкости от 0.02 до 3.0 пФ, в котором увеличение ёмкости достигается путем увеличения количества электродных секций.
Ключевые слова:
Список источников:
- Воротилов К. А., Мухортов В. М., Сигов А. С. Интегрированные сегнетоэлектрические устройства / под ред. чл.-корр. РАН А. С. Сигова. М. : Энергоатомиздат, 2011.
- Спектор Н. Оценка допустимой мощности в полосковой линии // Полосковые системы сверхвысоких частот / пер. с англ. ; под ред. В. И. Сушкевича. М. : Иностр. лит., 1959. C.160–172.
- 1237 просмотров