Известия Саратовского университета.

Новая серия. Серия Физика

ISSN 1817-3020 (Print)
ISSN 2542-193X (Online)


Для цитирования:

Кожевников И. О., Михайлов А. И., Браташов Д. Н. Исследование влияния топологии контактных площадок на воспроизводимость параметров колебаний тока в мезапланарных структурах на основе полуизолирующего арсенида галлия // Известия Саратовского университета. Новая серия. Серия: Физика. 2015. Т. 15, вып. 1. С. 51-56. DOI: 10.18500/1817-3020-2015-15-1-51-56

Статья опубликована на условиях лицензии Creative Commons Attribution 4.0 International (CC-BY 4.0).
Опубликована онлайн: 
06.03.2015
Полный текст в формате PDF(Ru):
(загрузок: 330)
Язык публикации: 
русский
Рубрика: 
Тип статьи: 
Научная статья
УДК: 
621.382.032.27

Исследование влияния топологии контактных площадок на воспроизводимость параметров колебаний тока в мезапланарных структурах на основе полуизолирующего арсенида галлия

Авторы: 
Кожевников Илья Олегович, Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н. Г. Чернышевского
Михайлов Александр Иванович, Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н. Г. Чернышевского
Браташов Даниил Николаевич, Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н. Г. Чернышевского
Аннотация: 

Приведены экспериментальные результаты исследования влияния характера распределения электрического поля между контактными площадками мезапланарных резисторных структур на основе пластин n-GaAs марки САГ-2БК посредством изменения их топологии (плоскопараллельная, плоско-заостренная, встречно-заостренная и вогнуто-заостренная) на воспроизводимость параметров возникающих в них токовых колебаний в сильном электрическом поле: величина порогового напряжения, частота и амплитуда токовых колебаний. Установлено, что структуры со встречно-заостренной топологией металлических площадок, способствующей концентрированию электрического поля у острия и сужению области протекания тока, обладают наибольшей воспроизводимостью таких параметров, как величина порогового напряжения возникновения токовых колебаний и их амплитуда. Для структур с плоскопараллельной формой контактов воспроизводимость результатов экспериментальных измерений наименьшая вследствие высокого влияния краевых эффектов.

Список источников: 
  1. Гуляев Ю. В. Акустоэлектроника : исторический обзор // УФН. 2005. Т. 175, № 8. С. 887–895.
  2. Щука А. А. Электроника / под ред. А. С. Сигова. СПб. : БХВ-Петербург, 2006. 800 с.
  3. Муравский Б. С., Рубцов Г. П., Григорьян Л. Р., Куликов О. Н. Электрофизические и фотоэлектрические свойства транзисторных структур с распределенным эмиттером и функциональные приборы на их основе // Журнал радиоэлектроники : электрон. журн. 2000. № 10. URL: http://jre.cplire.ru/alt/oct00/2/text.html (дата обращения: 30.03.2014).
  4. Neumann A. Slow domains in semi-insulating GaAs // J. Appl. Phys. 2001. Vol. 90, № 1. P. 1–26.
  5. Kiyama M., Tatsumi M., Yamada M. Electric-field-enhanced electron capture coefficient of EL2 level in semi-insulating GaAs // Appl. Phys. Lett.  2005. Vol. 86, № 1. P. 012102.
  6. Oliveira A. G. de, Ribeiro G. M., Albuquerque H. A., Moreira M. V. B., Rodrigues W. N., Gonzalez J. C., Rubinger R. M. Blockade of free carriers by hopping carriers leading to the low-frequency current oscillations in semi-insulating GaAs // Phys. Rev. B. 2006. Vol. 74, № 3. P. 035204.
  7. Михайлов А. И., Митин А. В., Кожевников И. О. Особенности возникновения устойчивых колебаний тока большой амплитуды в длинных высокоомных планарно-эпитаксиальных структурах на основе арсенида галлия // Микроэлектроника СВЧ : Всерос. конф. : сб. тр. СПб. : СПбГЭТУ, 2012. Т. 1/2. С. 49–53.
Поступила в редакцию: 
16.11.2014
Принята к публикации: 
14.01.2015
Опубликована: 
06.03.2015