Физика

В работе проведено сопоставление результатов измерения спектральных характеристик светорассеяния на тестовых объектах с помощью различных типов спектральных приборов. Рассмотрены спектры обратного диффузного рассеяния, полученные с помощью интегрирующей сферы и с помощью освещающего и приемного оптических волокон, расположенных на близком расстоянии. Выявлены особенности спектральных характеристик, определяемые параметрами объекта, и различия, обусловленные методом регистрации спектра.

Предложена и исследована численная модель кинетики процесса элонгации одноцепочечного фрагмента ДНК. Модель построена на принципах феноменологического моделирования и реализована в форме диффузионного клеточного автомата. Получены аналитические и численные оценки скорости реакции элонгации и показана возможность возникновения временны́х задержек присоединения нуклеотидов при снижении концентрации одного из нуклеотидов в растворе, что обусловливается конечным временем транспорта нуклеотидов.

В работе исследуется мягкая бифуркация Андронова – Хопфа в генераторе Ван дер Поля, находящемся под действием аддитивного гауссова белого шума. Для определения бифуркации используется численное решение уравнения Фоккера – Планка – Колмогорова. Полученные результаты сравниваются с данными численного интегрирования стохастических уравнений. Показано существование бифуркационного интервала, рассчитанного теоретически в [6].

Приведены результаты теоретического и экспериментального обоснования возможности применения СВЧ фотонных кристаллов для создания широкополосных согласованных СВЧ-нагрузок. Показана возможность использования СВЧ фотонных кристаллов для измерения толщины и проводимости нанометровых полупроводниковых слоистых структур. Экспериментально продемонстрирована возможность электрического управления амплитудно-частотными характеристиками СВЧ фотонных кристаллов. Определены пути уменьшения размеров устройств на фотонных кристаллах.

Приведены экспериментальные результаты исследования влияния характера распределения электрического поля между контактными площадками мезапланарных резисторных структур на основе пластин n-GaAs марки САГ-2БК посредством изменения их топологии (плоскопараллельная, плоско-заостренная, встречно-заостренная и вогнуто-заостренная) на воспроизводимость параметров возникающих в них токовых колебаний в сильном электрическом поле: величина порогового напряжения, частота и амплитуда токовых колебаний.

Методом флуоресцентной спектроскопии исследованы многослойные структуры на основе тонких пленок полупроводниковых квантовых точек (КТ) состава CdSe/CdS/ZnS, гидрофобизированных олеиновой кислотой, с пиками флуоресценции 525 и 631 нм, полученные по технологии Ленгмюра – Блоджетт.

Применяется релятивистская амплитуда рассеяния для описания спектров двухчастичных атомов в квазипотенциальном подходе. Анализируется дополнительная логарифмическая поправка шестого порядка по константе тонкой структуры в сверхтонкий сдвиг основного уровня, возникающая от учета эффекта запаздывания.

Комплексное исследование свойств наночастиц железа различными дополняющими друг друга методами позволило получить данные о внутренних размерах, диэлектрических и физических свойствах наночастиц и их зависимости от частоты и изменений, производимых с помощью различных воздействий. Обнаружено, что проводимость наночастиц железа имеет квадратичную частотную зависимость – σ = σ_o*ω₂.

Методом функционала плотности B3LYP/6-311+G(d, p) выполнен расчет структуры, частот нормальных колебаний и интенсивностей полос в ИК-спектрах пяти димеров пиридина с водородной связью. Выполнено моделирование ряда сложных колебательных контуров в ИК-спектре пиридина с учетом межмолекулярного взаимодействия. Показано, что большой вклад в формирование полос сателлитов, усложняющих структуру колебательных полос мономерного пиридина в матрично-изолированном низкотемпературном ИК-спектре, вносят водородосвязанные парные самоассоциаты.

В первой части статьи представлен краткий обзор по свойствам поверхностных электромагнитных волн оптического диапазона (плазмонов-поляритонов) и их применению в оптоэлектронике и сенсорике. Во второй части статьи приведены основные результаты исследований автора в данной научной области.