Показано, что в основе направленной самоорганизации электронного потока в полупроводниках может быть механизм, основанный на взаимодействии потока с неоднородностями, образованными фиксированным распределением диэлектрической проницаемости. В квазибаллистическом режиме рассмотрено поведение резонансных значений амплитуд скорости потока в зависимости от факторов неоднородности.
