магнетронное распыление

Влияние давления аргона на текстуру и микроструктуру пленок кобальта, осаждаемых магнетронным распылением

Исследовано влияние давления рабочего газа аргона (0.13–0.09 P 1 Па) на микроструктуру и текстуру пленок кобальта, наносимых методом магнетронного распыления на постоянном токе на подложки SiO2/Si при комнатной температуре. Показано, что при высоких давлениях аргона P 1–0.22 Па пленки кобальта обладают столбчатой микроструктурой по толщине, а кристаллическая структура пленок соответствует смешанной кристаллической фазе: гексагональной плотноупакованной (гпу) с текстурой (002) и гранецентрированной кубической (гцк) с текстурой (111).

Магнитные свойства текстурированных пленок NiFe(111) и NiFe(200)

Впервые исследованы зависимости от толщины (d 20–370 нм) намагниченности насыщения 4πМ, ширины линии ферромагнитного резонанса (ФМР) ΔН, поля коэрцитивности Нс и формы петель гистерезиса для пленок пермаллоя Ni80Fe20 (NiFe) с текстурой (200). Полученные для пленок NiFe(200) зависимости магнитных параметров от толщины d сопоставлены с зависимостями 4πM(d), ΔН(d) и Нс (d) для пленок NiFe(111) с выраженной текстурой (111) и поликристаллических пленок NiFe.

ФОРМИРОВАНИЕ МОДИФИЦИРОВАННЫХ МАТЕРИАЛОВ В ПОТОКАХ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ПЛАЗМЫ

В работе приводятся результаты экспериментальных исследований, направленных на получение материалов с модифицированными свойствами. Разработанная методика синтеза в потоках низкотемпературной плазмы позволяет эффективно управлять параметрами плёночных материалов. На примере ZnO и Si показана возможность управления оптическими, морфологическими и электрофизическими свойствами плёночных материалов.

Применение тонкопленочных структур на основе аморфного кремния для измерения рH растворов

Показана возможность создания pH-сенсора на основе тонких плёнок аморфного кремния. Принцип работы датчика схож с механизмом действия ионоселективного полевого транзистора. Изменение pH исследуемого раствора приводит к изменению толщины обедненной области и, следовательно, проводимости структуры на основе пленки аморфного кремния.