Известия Саратовского университета.
ISSN 1817-3020 (Print)
ISSN 2542-193X (Online)


кремний

Особенности формирования органического полиэлектролитного слоя на освещаемой полупроводниковой подложке

Представлены результаты исследования процессов, происходящих при формировании гибридной структуры Si/SiO2/полиэтиленимин в условиях фотостимуляции полупроводниковой подложки при адсорбции на неё полиэтиленимина. Целью работы являлось определение закономерностей формирования органического полиэлектролитного слоя на освещаемой полупроводниковой подложке и описание электронных процессов в гибридной структуре, ответственных за параметры полученного покрытия.

ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ ОРГАНИЧЕСКОГО ПОЛИЭЛЕКТРО-ЛИТНОГО СЛОЯ НА ОСВЕЩАЕМОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПОДЛОЖКE

Представлены результаты исследования процессов, происходящих при формировании гибридной структуры Si/SiO2/полиэтиленимин в условиях фотостимуляции полупроводниковой подложки при адсорбции на неё полиэтиленимина. Целью работы являлось определение закономерностей формирования органического полиэлектролитного слоя на освещаемой полупроводниковой подложке и описание электронных процессов в гибридной структуре, ответственных за параметры полученного покрытия.

Неравновесная СВЧ-плазма низкого давления в научных исследованиях и разработках микро- и наноэлектроники

Рассмотрены достоинства и преимущества использования для реализации нанотехнологий высокоионизованной низкоэнерге- тичной СВЧ-плазмы низкого давления. Показано, что по своим функциональным возможностям одна установка на основе СВЧ- плазмы может заменить 4–5 установок с обычным высокочастот- ным возбуждением газового разряда.

Вольтфарадные характеристики МДП-структур на основе сегнетоэлектрических плёнок

Созданы на кремниевых подложках n и р-типа гетероструктуры металл–сегнетоэлектрик–полупроводник (МСЭП). Реализованы в МСЭП-структуре электронно-управляемые конденсаторные элементы. Измеренные при напряжении смещения ±50 В параметры конденсаторных элементов показали, что ход вольтфарадных характеристик конденсаторных элементов на кремнии р-типа зеркально отражает ход вольтфарадных характеристик на кремнии n-типа.