кремний

ВОЛЬТФАРАДНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ МДП-СТРУКТУР НА ОСНОВЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЁНОК

Созданы на кремниевых подложках n и р-типа гетероструктуры металл–сегнетоэлектрик–полупроводник (МСЭП). Реализованы в МСЭП-структуре электронно-управляемые конденсаторные элементы. Измеренные при напряжении смещения ±50 В параметры конденсаторных элементов показали, что ход вольтфарадных характеристик конденсаторных элементов на кремнии р-типа зеркально отражает ход вольтфарадных характеристик на кремнии n-типа.

Неравновесная СВЧ-плазма низкого давления в научных исследованиях и разработках микро- и наноэлектроники

Рассмотрены достоинства и преимущества использования для реализации нанотехнологий высокоионизованной низкоэнерге- тичной СВЧ-плазмы низкого давления. Показано, что по своим функциональным возможностям одна установка на основе СВЧ- плазмы может заменить 4–5 установок с обычным высокочастот- ным возбуждением газового разряда.