Известия Саратовского университета.

Новая серия. Серия Физика

ISSN 1817-3020 (Print)
ISSN 2542-193X (Online)


Образец для цитирования:

??? Резонансные явления в электродинамических системах с металлическими, диэлектрическими и полупроводниковыми включениями //Известия Саратовского университета. Новая серия. Серия Физика. 2008. Т. 8, вып. 1. С. 48-58. DOI: https://doi.org/10.18500/1817-3020-2008-8-1-48-58

Язык публикации: 
русский
Рубрика: 
УДК: 
621.382

Резонансные явления в электродинамических системах с металлическими, диэлектрическими и полупроводниковыми включениями

Аннотация: 

Установлены новые типы резонансов в электродинамических низкоразмерных системах с полупроводниками, полупроводниковыми структурами, металлическими и диэлектрическими включениями и показана возможность их использования при разработке и создании новых типов полупроводниковых СВЧ-устройств.

DOI: 
10.18500/1817-3020-2008-8-1-48-58
Библиографический список: 
  1. Усанов Д.А., Вагарин А.Ю. Немонотонная зависимость затухания волны в волноводе от проводимости и толщины помещенного в него полупроводника // Радиотехника и электроника. 1978. Т.23, №3. С.470−474.
  2. Усанов Д.А., Феклистов В.Б., Вагарин А.Ю. Влияние высших типов волн на затухание волны в волноводе, содержащем полупроводник // Радиотехника и электроника. 1979. Т.24, №8. С.1681−1683.
  3. Hirota R., Suzuki K. Field distribution in a magnetoplasmaloaded waveguide at room temperature // IEEE Trans. on Microwave Theory and Tech. 1970. V.18, №4. P.188−195.
  4. Усанов Д.А., Орлов В.Е. Немонотонная зависимость затухания электромагнитной волны от уровня инжекции в p−i−n-диодных структурах, помещенных в волновод // Радиотехника и электроника. 1987. Т.32, №5. С.1129−1131.
  5. Виненко В.Г., Лицов А.А., Усанов Д.А. Влияние высших типов колебаний на характеристики волноводных управляющих устройств на p−i−n-диодах // Радиотехника и электроника. 1983. Т.28, №1. С.201−203.
  6. Усанов Д.А., Занин В.И., Феклистов В.Б. Зависимость затухания волны в волноводе, содержащем двухслойную структуру полупроводник−диэлектрик, от проводимости и толщины полупроводника // Изв. вузов. Сер. Радиоэлектроника. 1992. Т.35, №8. С.715−723.
  7. Усанов Д.А., Горбатов С.С., Вениг С.Б., Орлов В.Е. Резонансы в полубесконечном волноводе с диафрагмой, связанные с возбуждением волн высших типов // Письма в ЖТФ. 2000. Т.26, №18. С.47−49.
  8. Эйзенхарт Р., Кан Р. Теоретическое и экспериментальное исследование держателя СВЧ-элемента в волноводе // Зарубежная радиоэлектроника. 1970. №8. С.102−125.
  9. Усанов Д.А., Горбатов С.С. Резонансное пропускание волны в прямоугольном волноводе, содержащем близкорасположенные диафрагмы с неперекрывающимися отверстиями // Радиотехника и электроника. 2004. Т.49, №4. С.458−459.
  10. Горбатов С.С., Усанов Д.А. Резонансы в системе сверхтонкая диафрагма коротко-замыкающий поршень // Актуальные проблемы электронного приборостроения: Тез. науч.-техн. конф. Саратов, 2004. С.289–291.
  11. Усанов Д.А., Горбатов С.С. Волноводный измерительный резонатор // Изв. вузов. Сер. Радиоэлектроника. 2002. Т.45, №9. С.26−28.
  12. Усанов Д.А., Горбатов С.С. Управляемые магнитным полем резонансы в СВЧ системах с полупроводниковыми диодами // Моделирование в прикладной электродинамике и электронике: Сб. науч. тр. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2005. Вып.6. С.50−54.
  13. Усанов Д.А., Кабанов Л.Н., Горбатов С.С. О применении вариационного метода к расчету волновода, частично заполненного полупроводником // Физика полупроводников и полупроводниковая электроника. 1976. Вып.7. С.112−117.
  14. Усанов Д.А., Горбатов С.С. Управляемый магнитным полем СВЧ-выключатель на p−i−n-диодах // Приборы и техника эксперимента. 2003. №1. С.72−73.
  15. Усанов Д.А., Горбатов С.С. Электрически управляемый низкоразмерный СВЧ-резонатор // Приборы и техника эксперимента. 2006. №3. С.100−102.
  16. Усанов Д.А., Горбатов С.С. Резонансы в микрополосковой системе диафрагма-короткозамыкающий поршень // Изв. вузов. Радиоэлектроника 2005. Т.48, №5. С.402−405.
  17. Усанов Д.А., Горбатов С.С. Резонансное поглощение инфракрасного излучения системой металл − тонкий слой диэлектрика − диафрагма с отверстием // Письма в ЖТФ. 2001. Т.27, №21. С.81−83.
  18. Усанов Д.А., Горбатов С.С. Управляемое магнитным полем пропускание света системой из металлических диафрагм с отверстиями, разделённых тонким слоем диэлектрика // Письма в ЖТФ. 2004. Т.30, №14. С.25−29.
Полный текст в формате PDF(Ru):
(загрузок: 18)