Образец для цитирования:

Роках А. Г. СУБЛИМИРОВАННЫЕ ФОТОПРОВОДЯЩИЕ ПЛЕНКИ ТИПА CDS: ИСТОРИЯ И СОВРЕМЕННОСТЬ // Известия Саратовского университета. Новая серия. Серия Физика. 2015. Т. 15, вып. 2. С. 53-?.


УДК: 
620.22:620.3

СУБЛИМИРОВАННЫЕ ФОТОПРОВОДЯЩИЕ ПЛЕНКИ ТИПА CDS: ИСТОРИЯ И СОВРЕМЕННОСТЬ

Аннотация

Приводится краткая история исследований в Саратовском уни- верситете и в СССР физических свойств сублимированных фото- проводящих пленок типа CdS, сыгравших заметную роль в раз- витии исследований фотоэлектрических явлений, для которых сульфид кадмия служил модельным веществом. Добавление к сульфиду кадмия сульфида свинца позволило увеличить быстро- действие пленок и стойкость к деградации. На сублимированных пленках типа CdS обнаружены и исследованы поверхностный фотоемкостный эффект, фотоиндуктивный эффект, вторично- ионный фотоэффект и дана теоретическая модель аномального экранирования электрического поля (увеличение глубины про- никновения электрического поля с ростом легирования). 

Brief history is given of the physical properties study at Saratov University and in the USSR of sublimated photoconducting films of CdS type that plays a prominent role in photoelectric researches, for which the cadmium sulfide served as a model substance. An addition of lead sulfide to cadmium sulfide has increased the speed of photoresponse and the resistance to degradation. Upon the sublimated films of CdS type it was discovered and studied the surface photocapasitive effect, photoinductive effect, secondary-ion photo effect and given a theoretical model of anomalous electric field screening (increase the depth of an electric field penetration on the doping growth of semiconductor).

Литература

1. Москвин А. В. Катодолюминесценция : в 2 ч. Ч. 1. Общие свойства явления. М. ; Л., 1948.

2. Frerichs R. // Naturwissenschaften. 1946. Bd. 33. S. 281.

3. Boeer K.W. Cadmium Sulfi de as a Model for Photoelectric Researches // Wissen. Z. Humboldt-Univ. Math.- Nat. R. Berlin, 1958/1959. Bd. VIII.

4. Георгобиани А. Н. Широкозонные полупроводники А2В6 и перспективы их применения // УФН. 1974. Т. 113, вып. 5. С. 129–155.

5. Свердлова А. М., Роках А. Г. Влияние облучения электронами средних энергий на проводимость пленок полупроводников // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1964. Т. 28, № 9. С. 1514–1515.

6. Кот М. В., Симашкевич А. В. Поперечная катодопро- водимость кристаллов и тонких слоев некоторых соединений А2В6 // Радиотехника и электроника. 1959. Т. 7, вып. 9. С. 1672.

7. Кирьяшкина З. И., Носова В. А., Роках А. Г. О получении фоточувствительных пленок сернистого кад- мия с помощью легирования // Укр. физ. журн. 1964. Т. 9, вып. 6. С. 664.

8. Кирьяшкина З. И., Роках А. Г., Волчанин Е. Н. О влиянии влаги на проводимость пленок CdS с примесью CdCl2 // Укр. физ. журн. 1964. Т. 9, вып. 3. С. 342.

9. Карпович И. А., Омаров А. М., Звонков Б. Н. Эффект поля в фоточувствительных слоях CdSe // ФТП. 1960. Т. 2, вып. 2. С. 153.

10. Шейнкман М. К., Маркевич И. В. Хвостов В. А. Модель остаточной проводимости в полупроводниках и ее параметры в CdS : Ag : Cl // ФТП. 1971. Т. 5, вып. 10. С. 1904.

11. Шалимова К. В., Травина Т. С., Резвый Р. Р. // Докл. АН СССР. 1961. Т. 138, вып. 2. С. 234.

12. Калинкин И. П., Муравьева К. К. Эпитаксия соединений А2В6 // Электролюминесцирующие пленки : сб. ст. Тарту, 1972. С. 7.

13. Калинкин И. П., Алесковский В. Б., Симашкевич А. В. Эпитаксиальные пленки соединений A2B6. Л., 1978.

14. Кирьяшкина З. И., Роках А. Г., Кац Н. Б., Малков В. П., Новикова Е. А., Цукерман Н. М. Фотопроводящие пленки (типа CdS). Саратов, 1979.

15. Баранов Л. И., Гаманюк В. Б., Роках А. Г., Юдо- вич М. В. // ФТП. 1976. Т. 10, вып. 10. С. 1953‒1955.

16. Роках А. Г., Кумаков А. В., Елагина Н. В. Гетероген- ный фотопроводник на основе CdS-PbS // ФТП. 1979. Т. 13, вып. 4. С. 787–790.

17. Роках А. Г. Варизонная модель полупроводника стойкого к деградации // Письма в ЖТФ. 1984. Вып. 13. С. 820–824.

18. Роках А. Г., Жуков А. Г., Сердобинцев А. А., Стецюра С. В. Особенности вторичной ионной масс- спектрометрии полупроводникового образца при освещении // Физика полупроводников и полупрово- дниковая электроника. Саратов, 2001. С. 56.

19. Роках А. Г., Матасов М. Д. Парадоксы фотопроводящей мишени и влияние спектрального состава света на выход вторичных ионов // ФТП. 2010. Т. 44, вып. 1. С. 101–108.

20. Стецюра С. В., Глуховской Е. Г., Козловский А. В., Маляр И. В. Создание ультратонкого источника примеси для снижения радиационных потерь фото- чувствительных пленок CdS // ЖТФ. 2015. Т. 85, вып. 5. С. 116‒122.

21. Маскаева Л. Н., Марков В. Ф., Китаев Г. А. Синтез пленок твердых растворов CdxPb1-xS осаждением из водных сред в динамических условиях // ЖПХ. 2000. Т. 73, вып. 5. С. 709–711.

22. Алимпиев В. Н., Баранов Л. И., Роках А. Г. Об индуктивных свойствах квазимонополярных полупроводников // Радиотехника и электроника. 1973. Т. 18, вып. 12. С. 2567.

23. Роках А. Г. Фотоэлектрические явления в полупроводниках и диэлектриках. Саратов, 1984 . С. 152.

24. Грищенко В. Л., Малков В. П., Пронин В. П., Роках А. Г. Модели с фотопроводящей средой для решения уравнений эллиптического типа // ЖТФ. 1975. Т. 45, вып. 2. С. 425.

25. Роках А. Г., Биленко Д. И., Шишкин М. И., Скапцов А. А., Вениг С. Б., Матасов М. Д. Оптические спектры пленок CdS-PbS и возможность фотоэффекта в среднем инфракрасном диапазоне // ФТП. 2014. Т. 48, вып. 12. С. 1602‒1606.

Полный текст в формате PDF (на русском языке):