Izvestiya of Saratov University.

Physics

ISSN 1817-3020 (Print)
ISSN 2542-193X (Online)

For citation:

Rokakh A. G. Sublimated Photoconductive Films of CdS Type: History and Modernity. Izvestiya of Saratov University. Physics , 2015, vol. 15, iss. 2, pp. 53-58. DOI: 10.18500/1817-3020-2015-15-2-53-58

This is an open access article distributed under the terms of Creative Commons Attribution 4.0 International License (CC-BY 4.0).
Full text:
download
(downloads: 271)
Language: 
Russian
Heading: 
University chronicle
UDC: 
620.22:620.3
DOI: 
10.18500/1817-3020-2015-15-2-53-58

Sublimated Photoconductive Films of CdS Type: History and Modernity

Autors: 
Rokakh Alexander Grigor'evich, Saratov State University
Abstract: 

Brief history is given of the physical properties study at Saratov University and in the USSR of sublimated photoconducting films of CdS type that plays a prominent role in photoelectric researches, for which the cadmium sulfide served as a model substance. An addition of lead sulfide to cadmium sulfide has increased the speed of photoresponse and the resistance to degradation. Upon the sublimated films of CdS type it was discovered and studied the surface photocapasitive effect, photoinductive effect, secondary-ion photo effect and given a theoretical model of anomalous electric field screening (increase the depth of an electric field penetration on the doping growth of semiconductor).

Key words: 
photoconductive films
cadmium sulphide
cadmium-lead sulphide
limited solid solution
photocapasitive effect
secondary-ion photo effect
abnormal screening
wide-gap and narrow-gap phases
resistance to degradation
plasma resonance
Reference: 
  1. Москвин А. В. Катодолюминесценция : в 2 ч. Ч. 1. Общие свойства явления. М. ; Л., 1948.
  2. Frerichs R. // Naturwissenschaften. 1946. Bd. 33. S. 281.
  3. Boeer K.W. Cadmium Sulfi de as a Model for Photoelectric Researches // Wissen. Z. Humboldt-Univ. Math.- Nat. R. Berlin, 1958/1959. Bd. VIII.
  4. Георгобиани А. Н. Широкозонные полупроводники А2В6 и перспективы их применения // УФН. 1974. Т. 113, вып. 5. С. 129–155.
  5. Свердлова А. М., Роках А. Г. Влияние облучения электронами средних энергий на проводимость пленок полупроводников // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1964. Т. 28, № 9. С. 1514–1515.
  6. Кот М. В., Симашкевич А. В. Поперечная катодопро- водимость кристаллов и тонких слоев некоторых соединений А2В6 // Радиотехника и электроника. 1959. Т. 7, вып. 9. С. 1672.
  7. Кирьяшкина З. И., Носова В. А., Роках А. Г. О получении фоточувствительных пленок сернистого кад- мия с помощью легирования // Укр. физ. журн. 1964. Т. 9, вып. 6. С. 664.
  8. Кирьяшкина З. И., Роках А. Г., Волчанин Е. Н. О влиянии влаги на проводимость пленок CdS с примесью CdCl2 // Укр. физ. журн. 1964. Т. 9, вып. 3. С. 342.
  9. Карпович И. А., Омаров А. М., Звонков Б. Н. Эффект поля в фоточувствительных слоях CdSe // ФТП. 1960. Т. 2, вып. 2. С. 153.
  10. Шейнкман М. К., Маркевич И. В. Хвостов В. А. Модель остаточной проводимости в полупроводниках и ее параметры в CdS : Ag : Cl // ФТП. 1971. Т. 5, вып. 10. С. 1904.
  11. Шалимова К. В., Травина Т. С., Резвый Р. Р. // Докл. АН СССР. 1961. Т. 138, вып. 2. С. 234.
  12. Калинкин И. П., Муравьева К. К. Эпитаксия соединений А2В6 // Электролюминесцирующие пленки : сб. ст. Тарту, 1972. С. 7.
  13. Калинкин И. П., Алесковский В. Б., Симашкевич А. В. Эпитаксиальные пленки соединений A2B6. Л., 1978.
  14. Кирьяшкина З. И., Роках А. Г., Кац Н. Б., Малков В. П., Новикова Е. А., Цукерман Н. М. Фотопроводящие пленки (типа CdS). Саратов, 1979.
  15. Баранов Л. И., Гаманюк В. Б., Роках А. Г., Юдо- вич М. В. // ФТП. 1976. Т. 10, вып. 10. С. 1953‒1955.
  16. Роках А. Г., Кумаков А. В., Елагина Н. В. Гетероген- ный фотопроводник на основе CdS-PbS // ФТП. 1979. Т. 13, вып. 4. С. 787–790.
  17. Роках А. Г. Варизонная модель полупроводника стойкого к деградации // Письма в ЖТФ. 1984. Вып. 13. С. 820–824.
  18. Роках А. Г., Жуков А. Г., Сердобинцев А. А., Стецюра С. В. Особенности вторичной ионной масс- спектрометрии полупроводникового образца при освещении // Физика полупроводников и полупрово- дниковая электроника. Саратов, 2001. С. 56.
  19. Роках А. Г., Матасов М. Д. Парадоксы фотопроводящей мишени и влияние спектрального состава света на выход вторичных ионов // ФТП. 2010. Т. 44, вып. 1. С. 101–108.
  20. Стецюра С. В., Глуховской Е. Г., Козловский А. В., Маляр И. В. Создание ультратонкого источника примеси для снижения радиационных потерь фото- чувствительных пленок CdS // ЖТФ. 2015. Т. 85, вып. 5. С. 116‒122.
  21. Маскаева Л. Н., Марков В. Ф., Китаев Г. А. Синтез пленок твердых растворов CdxPb1-xS осаждением из водных сред в динамических условиях // ЖПХ. 2000. Т. 73, вып. 5. С. 709–711.
  22. Алимпиев В. Н., Баранов Л. И., Роках А. Г. Об индуктивных свойствах квазимонополярных полупроводников // Радиотехника и электроника. 1973. Т. 18, вып. 12. С. 2567.
  23. Роках А. Г. Фотоэлектрические явления в полупроводниках и диэлектриках. Саратов, 1984 . С. 152.
  24. Грищенко В. Л., Малков В. П., Пронин В. П., Роках А. Г. Модели с фотопроводящей средой для решения уравнений эллиптического типа // ЖТФ. 1975. Т. 45, вып. 2. С. 425.
  25. Роках А. Г., Биленко Д. И., Шишкин М. И., Скапцов А. А., Вениг С. Б., Матасов М. Д. Оптические спектры пленок CdS-PbS и возможность фотоэффекта в среднем инфракрасном диапазоне // ФТП. 2014. Т. 48, вып. 12. С. 1602‒1606.
  • 1830 reads