Известия Саратовского университета.

Новая серия. Серия Физика

ISSN 1817-3020 (Print)
ISSN 2542-193X (Online)

Для цитирования:

Роках А. Г., Стецюра С. В., Сердобинцев А. А. Гетерофазные полупроводники под действием излучений // Известия Саратовского университета. Новая серия. Серия: Физика. 2005. Т. 5, вып. 1. С. 92-102. DOI: 10.18500/1817-3020-2005-5-1-92-102

Статья опубликована на условиях лицензии Creative Commons Attribution 4.0 International (CC-BY 4.0).
Опубликована онлайн: 
17.11.2005
Полный текст в формате PDF(Ru):
скачать
(загрузок: 337)
Язык публикации: 
русский
Рубрика: 
Физика
Тип статьи: 
Научная статья
УДК: 
621.382+539.21
DOI: 
10.18500/1817-3020-2005-5-1-92-102

Гетерофазные полупроводники под действием излучений

Авторы: 
Роках Александр Григорьевич, Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н. Г. Чернышевского
Стецюра Светлана Викторовна, Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н. Г. Чернышевского
Сердобинцев Алексей Александрович, Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н. Г. Чернышевского
Аннотация: 

В работе дана история и современное состояние исследований сублимированных в вакууме фотопроводящих гетерофазных пленок CdS-PbS. Пленки изготовлены из полупроводников, имеющих ограниченную взаимную растворимость. Найдены причины повышенной стойкости к деградации, в частности к радиации (облучение у-квантами и ускоренными электронами). Она объясняется отвлечением рекомбинационного потока от широкозонной фазы в узкозонную. В узкозонную фазу переходят также дефекты, образуемые облучением. Уменьшение количества дефектов в широкозонной фазе гетерофазного полупроводника в результате отвлечения рекомбинационного потока и радиационно-стимулированной диффузии ведет к расшатыванию кристаллической решетки узкозонной фазы. При облучении ионами средних энергий это приводит к увеличению выхода вторичных ионов (Pb+) при освещении, то есть к вторично-ионному фотоэффекту, наблюдавшемуся и исследованному нами впервые. В статье также рассмотрена возможность использования нанотехнологий при создании наноразмерных включений в гетерофазном полупроводнике.

Ключевые слова: 
фотопроводящие гетерофазные пленки CdS-PbS
гетерофазный полупроводник
рекомбинационный поток
Список источников: 
  1. Кирьяшкина З.И., Роках А.Г., Кац Н.Б. и др. Фотопроводящие пленки типа CdS / Под ред. З.И. Кирьяшкиной, А.Г. Рокаха. Саратов, 1979.
  2. Роках А.Г., Кумаков А.В., Елагина Н.В. Гетерогенный фотопроводиик на основе CdS-PbS // ФТП. 1979. Т. 13. № 4. С.787-789.
  3. Казаринов Ю.Н., Ломасов В.И., Пилъкевич Я.Я. Влияние электронного облучения на фоточувствительность поликристаллических слоев сульфида и селенида кадмия // Электронная техника. Радиодетали и радиокомпоненты. 1984. Т. 984, № 3(56). С.29-32.
  4. Роках А.Г., Трофимова Н.Б., Зорина Л.Д. Влияние уоблучения на фотоэлектрические и оптические свойства плёнок CdSe:Ln // Физика полупроводников и полупроводниковая электроника. Саратов, 1988. № 13. С. 84—87.
  5. Пат. 845685 Россия (с приоритетом от 07.02.80г., действует с 01.07.93г..) Состав для изготовления пленочных фоторезисторов / Роках А.Г., Кумаков А.В., Елагина Н.В.
  6. Роках А.Г., Стецюра СВ., Трофимова Н.И., Елагина Н.В. Стабилизация свойств широкозонного фотопроводника при введении узкозонной компоненты // Неорганические материалы. 1999. Т.35, № 5. С.552-555.
  7. Золотое СИ, Трофимова Н.Б., Юнович А.Э. Фотолюминесценция пленок тройных твердых растворов Pb^CiS // ФТП. 1984. Т. 18, № 4. С.631-634.
  8. Роках А.Г., Стецюра СВ. Влияние неоднородностей на фотоэлектрические характеристики гетерофазных пленок системы CdSxSei_x - PbS // Неорганические материалы. 1997. Т.ЗЗ,№2.С.198-200.
  9. Роках А. Г., Стецюра С. В. Поверхностный фотоемкостный эффект на структурах с фотопроводящими пленками // Изв. вузов. Физика. 1999. Т. 33, № 5. С. 24-29.
  10. Роках А.Г., Стецюра СВ. Взаимосвязь между степенью неоднородности по концентрации фоточувствительной структуры и видам наблюдаемого на ней фотодиэлектрического эффекта // Физика диэлектриков: Материалы 9-й Междунар. конф. СПб., 2000. Т. 2. С. 51-53.
  11. Роках AT., Трофимова Н.Б. Об усилении люминесценции в узкозонной фазе гетерогенного полупроводника PbS-CdS // ЖТФ. 2001. Т. 71, № 7. С. 122-125. 
  12. Сердобинцев А.А., Кондратьев А.П., Фошин ИИ. Исследование фазового состава и фотоэлектрических характеристик радиационно-стойкого гетерофазного полупроводника // Всероссийский конкурс на лучшие научнотехнические и инновационные работы творческой молодёжи России по естественным наукам: Каталог представленных на конкурс проектов и работ. Саратов, 2003. С. 167-168.
  13. Роках А.Г., Король В.Н. Изучение фотопроводящей пленки методом разъемного продольного фоторезистора // Вопр. прикладной физики. 2002. № 8. С.42^14.
  14. Елагина Н.В., Новикова Е.А., Роках А.Г. Влияние облучения электронами средних энергий на электропроводность пленок CdS-PbS // Физика полупроводников и полупроводниковая электроника. Саратов, 1988. № 13. С. 80-84. 
  15. Роках А.Г., Стецюра СВ., Елагина Н.В. Связь дефектообразования с глубиной энергетических уровней в пленках CdSxSei_x - PbS // Междунар. науч.-техн. конф. «Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах»: Тез. докл. Ульяновск, 1997. С.87.
  16. Rokakh A.G., Zhukov A.G., Stetsyura S.V., SerdobintsevA.A. Secondary-ion mass spectrometry of photosensitive heterophase semiconductor // Nuclear Inst. and Methods in Physics Research. B. 2004. V. 226, № 4. P. 595-600. 
  17. Распыление под действием бомбардировки частицами: Пер. с англ. / Под ред. Р. Бериша. К. Виттмака. М., 1998.
  18. Роках AT., Стецюра СВ., Жуков AT., Сердобинцев А.А. Исследование особенностей ионного травления гетерофазных полупроводников при травлении белым светом // Письма в ЖТФ. 2003. Т. 29, вып. 2. С. 23-29. 
  19. Роках А.Г. Варизонная модель полупроводника, стойкого к деградации // Письма в ЖТФ. 1984. Т. 10, № 13. С.820-823.
  20. Calawa A.R., Mroczkowski LA., Harman T.C. Preparation and properties of Pbi-xCdxS. // J. Electron. Mater. 1972. V.I, № 1.P.191—201.
  21. Черепин ВТ. Ионный микрозондовый анализ. Киев, 1992. 
  22. Korsunskaya N.E., Markevich I.V., Dzhumaev B.R. et al. Electron-enhanced reactions responsible for photoluminescence spectrum change in II—IV compounds. // Semiconductor Physics, quantum electronics and optoelectronics. 1999. V. 2, № 1. P. 42-46.
  23. Винецкий В.Л., Чайка Г.Е. Диффузия атомов в неметаллических кристаллах, стимулированная рекомбинацией носителей тока // ФТТ. 1982. Т. 24, № 7. С. 2170-2176.
  24. Мак В. Т. Исследование радиационно-стимулированной диффузии фосфора в кремнии // ЖТФ. 1993. Т.63, № 3. С. 173-176. 
  25. Степанов В.А. Радиационно-стимулированная диффузия в твердых телах // ЖТФ. 1998. Т.68, № 8. С.67-72.
  26. Роках А.Г., Бухаров В.Э., Стецюра СВ. Влияние потенциальных барьеров на движение радиационных дефектов в полупроводниках // Вопр. прикладной физики. 2002. Т. 73, вып. 2. С. 36-38.
  27. Вавилов B.C., Кие А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках М., 1981.
  28. Блинов Л. М. Ленгмюровские пленки // УФН. 1988. Т. 155, вып. 3. С. 443-480.
  29. Пат. 2010267 РФ (с приоритетом от 12.08.91г., действует с 30.03.94г.). Способ получения мультислоев на твердых поверхностях.
Поступила в редакцию: 
18.06.2005
Принята к публикации: 
10.10.2005
Опубликована: 
17.11.2005
  • 1609 просмотров