Известия Саратовского университета.
ISSN 1817-3020 (Print)
ISSN 2542-193X (Online)


структура металл-сегнетоэлектрик-полупроводник

Вольтфарадные характеристики МДП-структур на основе сегнетоэлектрических плёнок

Созданы на кремниевых подложках n и р-типа гетероструктуры металл–сегнетоэлектрик–полупроводник (МСЭП). Реализованы в МСЭП-структуре электронно-управляемые конденсаторные элементы. Измеренные при напряжении смещения ±50 В параметры конденсаторных элементов показали, что ход вольтфарадных характеристик конденсаторных элементов на кремнии р-типа зеркально отражает ход вольтфарадных характеристик на кремнии n-типа.