Известия Саратовского университета.
ISSN 1817-3020 (Print)
ISSN 2542-193X (Online)


наноуглеродный композит

Вакуумно-плазменные процессы при экстремальной полевой эмиссии в алмазографитовых источниках электронов

Для создания элементной базы вакуумной микроэлектроники и сильноточных автоэмиссионных катодов, применяемых для устройств генерации сигналов СВЧ и субтерагерцового диапазонов, одним из перспективных материалов являются наноуглеродные пленочные структуры. Известно, что функционирование сильноточных автоэмиссионных катодов сопровождается рядом сопутствующих явлений, которые влияют на стабильность и долговечность их работы, в частности приводят к возникновению неуправляемых режимов эксплуатации.

ВАКУУМНО-ПЛАЗМЕННЫЕ ПРОЦЕССЫ ПРИ ЭКСТРЕМАЛЬНОЙ ПОЛЕВОЙ ЭМИССИИ В АЛМАЗОГРАФИТОВЫХ ИСТОЧНИКАХ ЭЛЕКТРОНОВ

Исследованы возможности создания сильноточных полевых источников электронов на основе тонкопленочных планарно-торцевых наноалмазографитовых структур, удовлетворяющих различным схемотехническим требованиям, а также причины возникновения неуправляемых режимов эксплуатации и фундаментальные факторы, приводящие к изменению вольт-амперных характеристик и ограничивающих максимальную величину автоэмиссионных токов, стабильность и долговечность сильноточной полевой эмиссии.

Наноуглеродные композиты для безнакальных магнетронов СВЧ и субтерагерцового диапазонов

Разработана численная методика определения вторично-эмиссионных свойств пленочных алмазографитовых нанокомпозитов по яркости изображений в зависимости от величины положительного потенциала на сетке детектора сканирующего электронного микроскопа. С использованием разработанной методики проведена оценка вторичноэмиссионных свойств наноуглеродных пленочных структур, полученных в различных режимах микроволнового плазмохимического осаждения.

НАНОУГЛЕРОДНЫЕ КОМПОЗИТЫ ДЛЯ БЕЗНАКАЛЬНЫХ МАГНЕТРОНОВ СВЧ И СУБТЕРАГЕРЦОВОГО ДИАПАЗОНОВ

Разработана численная методика определения вторично-эмиссионных свойств пленочных алмазографитовых нанокомпозитов по яркости изображений в зависимости от величины положительного потенциала на сетке детектора сканирующего электронного микроскопа. С использованием разработанной методики проведена оценка вторично-эмиссионных свойств наноуглеродных пленочных структур, полученных в различных режимах микроволнового плазмохимического осаждения.