Известия Саратовского университета.
ISSN 1817-3020 (Print)
ISSN 2542-193X (Online)


nanotransistor

Терагерцевый транзистор на основе графена

Из-за отсутствия значительной энергетической щели в нанолентах графена имеются трудности по созданию быстро переключающихся транзисторов для цифровых схем на них. Для усиления аналоговых сигналов в ряде работ предложены графеновые туннельные транзисторы, полевые транзисторы, транзисторы с отрицательным сопротив- лением и генераторы с накачкой.