УДК: 
621.382+539.2

ГЕТЕРОФАЗНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ ПОД ДЕЙСТВИЕМ ИЗЛУЧЕНИЙ

Аннотация
В работе дана история и современное состояние исследований сублимированных в вакууме фотопроводящих гетерофазных пленок CdS-PbS. Пленки изготовлены из полупроводников, имеющих ограниченную взаимную растворимость. Найдены причины повышенной стойкости к деградации, в частности к радиации (облучение у-квантами и ускоренными электронами). Она объясняется отвлечением рекомбинационного потока от широкозонной фазы в узкозонную. В узкозонную фазу переходят также дефекты, образуемые облучением. Уменьшение количества дефектов в широкозонной фазе гетерофазного полупроводника в результате отвлечения рекомбинационного потока и радиационно-стимулированной диффузии ведет к расшатыванию кристаллической решетки узкозонной фазы. При облучении ионами средних энергий это приводит к увеличению выхода вторичных ионов (РЬ*) при освещении, то есть к вторичноионному фотоэффекту, наблюдавшемуся и исследованному нами впервые. В статье также рассмотрена возможность использования нанотехнологий при создании наноразмерных включений в гетерофазном полупроводнике.
Литература
1. Кирьяшкжа З.И., Роках А.Г., Кац Н.Б. и др. Фотопроводящие пленки типа CdS / Под ред. З.И. Кирьяшкиной, А.Г. Рокаха. Саратов, 1979.
2. Роках А.Г., Кумаков А.В., Елагина Н.В. Гетерогенный фотопроводиик на основе CdS-PbS // ФТП. 1979. Т. 13. № 4. С.787-789.
3. Казаринов Ю.Н., Ломасов В.И., Пилъкевич Я.Я. Влияние электронного облучения на фоточувствительность поликристаллических слоев сульфида и селенида кадмия //
Электронная техника. Радиодетали и радиокомпоненты. 1984. Т. 984, № 3(56). С.29-32.
4. Роках А.Г., Трофимова Н.Б., Зорина Л.Д. Влияние уоблучения на фотоэлектрические и оптические свойства плёнок CdSe:Ln // Физика полупроводников и полупроводниковая электроника. Саратов, 1988. № 13. С. 84—87.
5. Пат. 845685 Россия (с приоритетом от 07.02.80г., действует с 01.07.93г..) Состав для изготовления пленочных фоторезисторов / Роках А.Г., Кумаков А.В., Елагина Н.В.
6. Роках А.Г., Стецюра СВ., Трофимова Н.И., Елагина Н.В. Стабилизация свойств широкозонного фотопроводника при введении узкозонной компоненты // Неорганические материалы. 1999. Т.35, № 5. С.552-555.
7. Золотое СИ, Трофимова Н.Б., Юнович А.Э. Фотолюминесценция пленок тройных твердых растворов Pb^CiS // ФТП. 1984. Т. 18, № 4. С.631-634.
8. Роках А.Г., Стецюра СВ. Влияние неоднородностей на фотоэлектрические характеристики гетерофазных пленок системы CdSxSei_x - PbS // Неорганические материалы. 1997. Т.ЗЗ,№2.С.198-200.
9. Роках А. Г., Стецюра С. В. Поверхностный фотоемкостный эффект на структурах с фотопроводящими пленками // Изв. вузов. Физика. 1999. Т. 33, № 5. С. 24-29.
10. Роках А.Г., Стецюра СВ. Взаимосвязь между степенью неоднородности по концентрации фоточувствительной структуры и видам наблюдаемого на ней фотодиэлектрического эффекта // Физика диэлектриков: Материалы 9-й Междунар. конф. СПб., 2000. Т. 2. С. 51-53.
11. Роках AT., Трофимова Н.Б. Об усилении люминесценции в узкозонной фазе гетерогенного полупроводника PbS-CdS // ЖТФ. 2001. Т. 71, № 7. С. 122-125.
12. Сердобинцев А.А., Кондратьев А.П., Фошин ИИ. Исследование фазового состава и фотоэлектрических характеристик радиационно-стойкого гетерофазного полупроводника // Всероссийский конкурс на лучшие научнотехнические и инновационные работы творческой молодёжи России по естественным наукам: Каталог представленных на конкурс проектов и работ. Саратов, 2003. С. 167-168.
13. Роках А.Г., Король В.Н. Изучение фотопроводящей пленки методом разъемного продольного фоторезистора // Вопр. прикладной физики. 2002. № 8. С.42^14.
14. Елагина Н.В., Новикова Е.А., Роках А.Г. Влияние облучения электронами средних энергий на электропроводность пленок CdS-PbS // Физика полупроводников и полупроводниковая электроника. Саратов, 1988. № 13. С. 80-84.
15. Роках А.Г., Стецюра СВ., Елагина Н.В. Связь дефектообразования с глубиной энергетических уровней в пленках CdSxSei_x - PbS // Междунар. науч.-техн. конф. «Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах»: Тез. докл. Ульяновск, 1997. С.87.
16. Rokakh A.G., Zhukov A.G., Stetsyura S.V., SerdobintsevA.A. Secondary-ion mass spectrometry of photosensitive heterophase semiconductor // Nuclear Inst. and Methods in Physics Research. B. 2004. V. 226, № 4. P. 595-600.
17. Распыление под действием бомбардировки частицами: Пер. с англ. / Под ред. Р. Бериша. К. Виттмака. М., 1998.
18,' Роках AT., Стецюра СВ., Жуков AT., Сердобинцев А.А. Исследование особенностей ионного травления гетерофазных полупроводников при травлении белым светом // Письма в ЖТФ. 2003. Т. 29, вып. 2. С. 23-29.
19. Роках А.Г. Варизонная модель полупроводника, стойкого к деградации // Письма в ЖТФ. 1984. Т. 10, № 13. С.820-823.
20. Calawa A.R., Mroczkowski LA., Harman T.C. Preparation and properties of Pbi-xCdxS. // J. Electron. Mater. 1972. V.I, № 1.P.191—201. 21. Черепин ВТ. Ионный микрозондовый анализ. Киев, 1992.
22. Korsunskaya N.E., Markevich I.V., Dzhumaev B.R. et al. Electron-enhanced reactions responsible for photoluminescence spectrum change in II—IV compounds. // Semiconductor Physics, quantum electronics and optoelectronics. 1999. V. 2, № 1. P. 42-46.
23. Винецкий В.Л., Чайка Г.Е. Диффузия атомов в неметаллических кристаллах, стимулированная рекомбинацией носителей тока // ФТТ. 1982. Т. 24, № 7. С. 2170-2176.
24. Мак В. Т. Исследование радиационно-стимулированной
диффузии фосфора в кремнии // ЖТФ. 1993. Т.63, № 3. С. 173-176.
25. Степанов В.А. Радиационно-стимулированная диффузия в твердых телах // ЖТФ. 1998. Т.68, № 8. С.67-72.
26. Роках А.Г., Бухаров В.Э., Стецюра СВ. Влияние потенциальных барьеров на движение радиационных дефектов в полупроводниках // Вопр. прикладной физики. 2002. Т. 73, вып. 2. С. 36-38.
27. Вавилов B.C., Кие А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках М., 1981.
28. Блинов Л. М. Ленгмюровские пленки // УФН. 1988. Т. 155, вып. 3. С. 443-480.
29. Пат. 2010267 РФ (с приоритетом от 12.08.91г., действует с 30.03.94г.). Способ получения мультислоев на твердых поверхностях.
Полный текст в формате PDF (на русском языке):