Проведено численное моделирование газочувствительности одиночных нитевидных нанокристаллов на основе соединений полупроводниковых материалов GaAs, InAs и GaP с различными типами проводимости, диаметрами от 50 до 200 нм и широким диапазоном степеней легирования при комнатной температуре. Разработана двумерная аксимметричная модель, реализованная в пакете COMSOL Multiphysics с явным учетом поверхностных состояний на боковой поверхности нанокристалла. Влияние газовой среды описано безразмерным параметром, характеризующим относительное изменение концентрации поверхностных состояний и соответствующего поверхностного заряда. На основе расчетов построены карты зависимости газовой чувствительности и сопротивления нанокристалла от степени легирования, диаметра и параметра воздействия газа. Показано, что максимальная газовая чувствительность достигается в диапазонах легирования, где проводимость нанокристалла существенно определяется поверхностным зарядом, а сопротивление остается в пределах, удобных для электрических измерений. Выделены оптимальные режимы работы сенсоров на основе нитевидных нанокристаллов GaAs, InAs и GaP для одиночных измерительных структур. Обсуждаются возможности использования полученных результатов при проектировании гибридных газочувствительных устройств.