УДК: 
621.315.592

ВЛИЯНИЕ ПРИМЕСНЫХ АТОМОВ Sm НА ЭФФЕКТ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ В ТОНКИХ ПЛЕНКАХ GeS

Аннотация

В последние годы возросло внимание к новым полупроводни- ковым материалам на основе АivВvi. Среди них особый интерес представляют тонкие фоточувствительные пленки моносульфида германия. Недавно было создано уникальное устройство из GeS. Тонкие пластинки способны содержать большое количество ионов лития. Данный материал отлично подходит в качестве сырья при производстве солнечных панелей. Наряду с этим качеством тонкие пленки моносульфида германия обладают эффектами переключения и памяти. Тонкие пленки, полученные термическим испарением на холодных подложках, являются аморфными. Примеси редкоземельных элементов, в том числе атомы Sm, образуют зародыши кристаллизации. Несмотря на то что кристаллизация полностью не осуществляется по всему объему, фазовый переход обнаруживается в тонких пленках GeS:Sm. Характерными для этого эффекта является большая разница в сопротивлении высокоомного и низкоом- ного состояния, большое число циклов переключения, малые времена и энергии переключения. В ходе наших исследований было выявлено, что кратность изменения сопротивления при переключении равна 105–106 , время переключения – (~10-6 с), потребляемая энергия при переключении – (~10-7 Дж). Это обусловливает необходимость исследования основных закономерностей эффекта переключения проводимости в тонких пленках GeS:Sm с памятью, их зависимость от внешних факторов. В связи с этим были проведены исследования влияния температуры и освещения на эффект переключения в тонких пленках GeS:Sm.

DOI: 
10.18500/1817-3020-2016-16-4-212-217
Литература

1. Блецкан Д. И., Кабаций В. Н., Блецкан М. М. Фото- электрический датчик наведения солнечных бата- рей на солнце // Современные информационные и электронные технологии : материалы Междунар. науч.-практ. конф. Одесса, 2015. С. 228–229.

2. Chun Li., Liang H., Gayatni P., Yifei Yu., Linyou Cao. Role of Boundary Layer Diffusion in Vapor Deposition Growth of Chalcogenide Nanosheets the Case of GeS // ACS Nano. 2012. Vol. 6, № 10. P. 8868–8877.

3. Yong J. Ch., Hyung S .I., Yoon M., Chang H. K., Han S. K., Seung H. B., Young R. L., Chan S. J., Dong M. J., Jeung P., Eun H. Ch., Min S. S., Won I. Ch. Germanium Sulfi de (II and IV) Nanoparticles for Enhanced Perfomance of Lithium Ion Batteries // Chemical Commun. 2013. Vol. 49. P. 4661–4663.

4. Rajesh K. U., Yi-Ying L., Chia-Yung K., Srinivasa R. T., Raman S., Karunakara M. B., Ankur A. High Photosensivity and Broad Spektral Response of Multi-Layered Germanium Sulfide Transistors // Nanoscale. 2016. Vol. 8. P. 2284–2292.

5. Богославский Н. А., Цендин К. Д. Физика эффектов переключения и памяти в халькогенидных стеклоо- бразных полупроводниках // Физика и техника полу- проводников. 2012. Т. 46, вып. 5. С. 577–608.

6. Агринская Н. В., Машовец Т. В. Самокомпенсация в полупроводниках // Физика и техника полупрово- дников. 1994. Т. 2, вып. 9. С. 1505–1533.

7. Мастеров В. Ф., Захаренков А. В. Редкоземельные эле- менты в полупроводниках А3В5 // Физика и техника полупроводников. 1990. Т. 24, вып. 4. С. 610–630.

8. Madatov R. S., Alekperov A. S., Magerremova Dzh. A. Infl uence of Rare Earth Elements (Nd, Sm, Gd) on the Physicochemical Properties of GeS Crystal // Crystallography Reports. 2015. Vol. 60, № 6. P. 921–923.

9. Чабан И. А. Эффект переключения в халькогенидных стеклах // Физика твердого тела. 2007. Т. 49, вып. 3. С. 405–410.

10. Меден А., Шо М. Физика и применение аморфных полупроводников. М. : Мир, 1991. 670 с.

11. Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некри- сталлических веществах. М. : Мир, 1982. 534 с.

12. Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. М. : Мир, 1979. 416 с.

13. Spedding F. H., Daane A. H. The Rare Earths. N.Y. ; L. : John Wiley Sons, Inc., 1965. 608 p.

Краткое содержание (на английском языке): 
Полный текст в формате PDF (на русском языке):