Рубрика: 
УДК: 
УДК 539.234

ПРИМЕНЕНИЕ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ АМОРФНОГО КРЕМНИЯ ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ рH РАСТВОРОВ

Аннотация

Показана возможность создания pH-сенсора на основе тонких плёнок аморфного кремния. Принцип работы датчика схож с механизмом действия ионоселективного полевого транзистора. Изменение pH исследуемого раствора приводит к изменению толщины обедненной области и, следовательно, проводимости структуры на основе пленки аморфного кремния.

DOI: 
10.18500/1817-3020-2016-16-1-24-26
Литература

1. Варфоломеев С. Д. Биосенсоры // Соросовский образоват. журн. 1997. № 1. С. 45–49.
2. Кукла А. Л., Лозовой С. В., Павлюченко А. С., Нагибин С. Н. Исследование метрологических параметров датчиков на основе pН-чувствительных полевых транзисторов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2013. № 2–3. С. 61–68.
3. Lee C. T., Chiu Y. S., Wang X. Q. Performance enhancement mechanisms of passivated InN/GaN-heterostructured ion-selective fi eld-effect-transistor pH sensors // Sensors and Actuators B. 2013. Vol. 181. P. 810– 815.
4. Дзядевич С. В. Биосенсоры на основе ионоселективных полевых транзисторов : теория, технология, практика // Біополімери і клітина. 2004. T. 20, № 1–2. C. 7–16.
5. Chen Y., Wang X., Erramilli S., Mohanty P. Siliconbased nanoelectronic fi eld-effect pH sensor with local gate control // Appl. Phys. Lett. 2006. Vol. 89, iss. 22. P. 223512-223512-3.
6. Чукин Г. Д. Химия поверхности и строение кремнезема. М. : Принта, 2008. С. 171.

Краткое содержание (на английском языке): 
Полный текст в формате PDF (на русском языке):